[發明專利]三維存儲器裝置

在審

• 申請號: 202010446737.1
• 申請日: 2020-05-25
• 公開（公告）號: CN112038348A
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發明（設計）人: 金昶汎;金成勳;金勝淵
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11548;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;張川緒

1.一種存儲器裝置，所述存儲器裝置包括：

基底，包括頂表面；

第一存儲器單元陣列，包括垂直堆疊在基底的頂表面上的第一存儲器單元陣列區域上的多個第一存儲器單元；

第二存儲器單元陣列，包括垂直堆疊在基底的頂表面上的第二存儲器單元陣列區域上的多個第二存儲器單元；

多條第一字線，連接到所述多個第一存儲器單元，所述多條第一字線包括所述多條第一字線的子集和剩余的第一字線；

多條第二字線，連接到所述多個第二存儲器單元，所述多條第二字線包括所述多條第二字線的子集和剩余的第二字線；和

行解碼器，包括多個合并傳輸晶體管，所述多個合并傳輸晶體管中的每個公共地連接到所述多條第一字線的子集中的相應的一條第一字線和所述多條第二字線的子集中的相應的一條第二字線，并且行解碼器被設置在基底的頂表面的在第一存儲器單元陣列區域與第二存儲器單元陣列區域之間的行解碼器區域中。

2.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述多條第一字線的子集中的所述相應的一條第一字線和所述多條第二字線的子集中的所述相應的一條第二字線在基底的頂表面上方的相同高度處水平地延伸。

3.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，行解碼器還包括：

多個第一傳輸晶體管，分別連接到剩余的第一字線；和

多個第二傳輸晶體管，分別連接到剩余的第二字線。

4.根據權利要求3所述的存儲器裝置，其中，行解碼器區域包括：

第一區域，與第一存儲器單元陣列區域鄰近并且在其中布置有所述多個第一傳輸晶體管；

第二區域，與第二存儲器單元陣列區域鄰近并且在其中布置有所述多個第二傳輸晶體管；和

第三區域，定位在第一區域與第二區域之間，第三區域在其中布置有所述多個合并傳輸晶體管。

5.根據權利要求3所述的存儲器裝置，其中，所述多個合并傳輸晶體管中的每個的增益比所述多個第一傳輸晶體管中的每個的增益和所述多個第二傳輸晶體管中的每個的增益大。

6.根據權利要求3所述的存儲器裝置，其中，所述多個合并傳輸晶體管中的每個的柵極寬度和柵極長度中的至少一個與所述多個第一傳輸晶體管中的每個的柵極寬度和柵極長度中的至少一個以及所述多個第二傳輸晶體管中的每個的柵極寬度和柵極長度中的至少一個不同。

7.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述多條第一字線的子集包括至少一個第一字線組，所述至少一個第一字線組各自包括在垂直方向上連續布置并連接到所述多個合并傳輸晶體管的字線；并且

所述多條第二字線的子集包括至少一個第二字線組，所述至少一個第二字線組各自包括在垂直方向上連續布置并連接到所述多個合并傳輸晶體管的字線。

8.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述多個合并傳輸晶體管中的任何一個連接到第一連接線和第二連接線，第一連接線在水平方向上朝向第一存儲器單元陣列延伸以連接到所述多條第一字線中的任何一條，第二連接線在水平方向上朝向第二存儲器單元陣列延伸以連接到所述多條第二字線中的任何一條，并且

第一連接線的長度等于第二連接線的長度。

9.根據權利要求1所述的存儲器裝置，所述存儲器裝置還包括：在水平方向上延伸的第一連接線和第二連接線，

其中，所述多個合并傳輸晶體管中的每個連接到第一連接線中的相應的一條第一連接線和第二連接線中的相應的一條第二連接線，其中，第一連接線中的所述相應的一條第一連接線朝向第一存儲器單元陣列延伸以連接到所述多條第一字線的子集中的任何一條，第二連接線中的所述相應的一條第二連接線朝向第二存儲器單元陣列延伸以連接到所述多條第二字線的子集中的任何一條，并且

第一連接線中的所述相應的一條第一連接線的長度與第二連接線中的所述相應的一條第二連接線的長度不同。