[發(fā)明專利]一種提高曝光分辨率的版圖結(jié)構(gòu)及制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010446374.1 | 申請日: | 2020-05-25 |
| 公開(公告)號: | CN111596521B | 公開(公告)日: | 2023-08-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳憲宏;曾鼎程;胡展源 | 申請(專利權(quán))人: | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/00 | 分類號: | G03F1/00;G03F1/36;G03F1/70 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴廣志 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 提高 曝光 分辨率 版圖 結(jié)構(gòu) 制作方法 | ||
本發(fā)明提供一種提高曝光分辨率的版圖結(jié)構(gòu)及制作方法,位于同一圖層、形狀為條形結(jié)構(gòu)且自上而下依次平行分布的第一至第三圖形;第一圖形位于第二圖形的左上方,第三圖形位于第二圖形的右下方;第二圖形中非端部的一部分定義為第二分段圖形;第一圖形右邊端部圖形定義為第一分段圖形;第三圖形左邊端部定義為第三分段圖形;第二分段圖形向上完全投影于第一分段圖形并且向下完全投影于第三分段圖形;并且第一分段圖形與第三分段圖形的長度均大于所述第二分段圖形的長度。本發(fā)明通過延伸鄰近的圖形將空間變的緊密,更加適合曝光光源的最佳設(shè)定空間周期,有效地提升在曝光時的空間影像對比度,降低工藝變化帶寬,并擴大工藝窗口。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種提高曝光分辨率的版圖結(jié)構(gòu)及制作方法。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)的版圖中,有些圖形只能通過OPC修正后調(diào)整版圖自身的尺寸來調(diào)整關(guān)鍵尺寸,進而提升工藝窗口,如圖1所示,02為原始版圖的圖形;01為OPC修正后的目標(biāo)層;原始版圖的圖形02在其交界處的分段03的線寬尺寸經(jīng)過修正后較兩邊的寬度窄,該分段圖形處于空曠環(huán)境,曝光后分辨率較低。如果通過手動調(diào)整其寬度,必然會導(dǎo)致該分段03與其上方相鄰圖形的距離不符合設(shè)計規(guī)則的要求,或者與其下方相鄰圖形的距離不符合設(shè)計規(guī)則的要求,因此對于此類型的原始版圖的圖形02的結(jié)構(gòu),其上方相鄰的圖形位于該圖形的一邊(左側(cè)),其下方相鄰的圖形位于該圖形的另一邊(右側(cè)),而位于該圖形中部的連接處經(jīng)過OPC修正后無法通過手動調(diào)整來避免后續(xù)曝光后斷線的風(fēng)險。
因此,需要提出一種新的結(jié)構(gòu)來提高曝光分辨率,進而避免由于圖形處于空曠環(huán)境下,曝光后分辨率不足導(dǎo)致斷線的風(fēng)險。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點,本發(fā)明的目的在于提供一種提高曝光分辨率的版圖結(jié)構(gòu)及制作方法,用于解決現(xiàn)有技術(shù)中由于圖形處于空曠環(huán)境曝光分辨率低進而導(dǎo)致斷線風(fēng)險的問題。
為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本發(fā)明提供一種提高曝光分辨率的版圖結(jié)構(gòu),至少包括:原始版圖;所述原始版圖至少包括位于同一圖層、形狀為條形結(jié)構(gòu)且自上而下依次平行分布的第一至第三圖形;所述第一圖形位于所述第二圖形的左上方,所述第三圖形位于所述第二圖形的右下方;所述第二圖形中非端部的一部分定義為第二分段圖形;
所述第一圖形右邊端部圖形定義為第一分段圖形;所述第三圖形左邊端部定義為第三分段圖形;所述第二分段圖形向上完全投影于所述第一分段圖形并且向下完全投影于所述第三分段圖形;并且所述第一分段圖形與所述第三分段圖形的長度均大于所述第二分段圖形的長度。
優(yōu)選地,所述第一至第三圖形的寬度相等。
優(yōu)選地,所述第二圖形與所述第一圖形的間距等于所述第二圖形與所述第三圖形的間距。
優(yōu)選地,所述第二圖形中定義為第二分段圖形的部分位于所述第二圖形的中間部分。
優(yōu)選地,所述第一圖形和第三圖形的長度相等。
優(yōu)選地,所述第一分段圖形相對于所述第二分段圖形,從左至右延伸,所述第一分段圖形的左端部起始于所述第二分段圖形的左端部,所述第一分段圖形的右端部終止于所述第二分段圖形右端部的右上方。
優(yōu)選地,所述第三分段圖形相對于所述第二分段圖形,從右至左延伸,所述第三分段圖形的右端部起始于所述第二分段圖形的右端部,所述第三分段圖形的左端部終止于所述第二分段圖形左端部的左下方。
優(yōu)選地,所述第一分段圖形與所述第三分段圖形的長度相等。
優(yōu)選地,所述第一分段圖形與所述第三分段圖形的長度均大于或等于120nm。
優(yōu)選地,所述第一分段圖形右邊的所述第二圖形上方為空曠環(huán)境。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海華力集成電路制造有限公司,未經(jīng)上海華力集成電路制造有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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