[發明專利]一種提高曝光分辨率的版圖結構及制作方法有效
| 申請號: | 202010446374.1 | 申請日: | 2020-05-25 |
| 公開(公告)號: | CN111596521B | 公開(公告)日: | 2023-08-15 |
| 發明(設計)人: | 陳憲宏;曾鼎程;胡展源 | 申請(專利權)人: | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/00 | 分類號: | G03F1/00;G03F1/36;G03F1/70 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴廣志 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提高 曝光 分辨率 版圖 結構 制作方法 | ||
1.一種提高曝光分辨率的版圖結構,其特征在于,至少包括:
原始版圖;所述原始版圖至少包括位于同一圖層、形狀為條形結構且自上而下依次平行分布的第一至第三圖形;所述第一圖形位于所述第二圖形的左上方,所述第三圖形位于所述第二圖形的右下方;所述第二圖形中非端部的一部分定義為第二分段圖形;
所述第一圖形右邊端部圖形定義為第一分段圖形;所述第三圖形左邊端部定義為第三分段圖形;所述第二分段圖形向上完全投影于所述第一分段圖形并且向下完全投影于所述第三分段圖形;并且所述第一分段圖形與所述第三分段圖形的長度均大于所述第二分段圖形的長度。
2.根據權利要求1所述的提高曝光分辨率的版圖結構,其特征在于:所述第一至第三圖形的寬度相等。
3.根據權利要求2所述的提高曝光分辨率的版圖結構,其特征在于:所述第二圖形與所述第一圖形的間距等于所述第二圖形與所述第三圖形的間距。
4.根據權利要求3所述的提高曝光分辨率的版圖結構,其特征在于:所述第二圖形中定義為第二分段圖形的部分位于所述第二圖形的中間部分。
5.根據權利要求1所述的提高曝光分辨率的版圖結構,其特征在于:所述第一圖形和第三圖形的長度相等。
6.根據權利要求1所述的提高曝光分辨率的版圖結構,其特征在于:所述第一分段圖形相對于所述第二分段圖形,從左至右延伸,所述第一分段圖形的左端部起始于所述第二分段圖形的左端部,所述第一分段圖形的右端部終止于所述第二分段圖形右端部的右上方。
7.根據權利要求1所述的提高曝光分辨率的版圖結構,其特征在于:所述第三分段圖形相對于所述第二分段圖形,從右至左延伸,所述第三分段圖形的右端部起始于所述第二分段圖形的右端部,所述第三分段圖形的左端部終止于所述第二分段圖形左端部的左下方。
8.根據權利要求1所述的提高曝光分辨率的版圖結構,其特征在于:所述第一分段圖形與所述第三分段圖形的長度相等。
9.根據權利要求1所述的提高曝光分辨率的版圖結構,其特征在于:所述第一分段圖形與所述第三分段圖形的長度均大于120nm。
10.根據權利要求1所述的提高曝光分辨率的版圖結構,其特征在于:所述第一分段圖形與所述第三分段圖形的長度均等于120nm。
11.根據權利要求1所述的提高曝光分辨率的版圖結構,其特征在于:所述第一分段圖形右邊的所述第二圖形上方為空曠環境。
12.根據權利要求1所述的提高曝光分辨率的版圖結構,其特征在于:所述第三分段圖形左邊的所述第二圖形下方為空曠環境。
13.根據權利要求1所述的提高曝光分辨率的版圖結構,其特征在于:所述第一圖形左邊端部連接有不規則圖形,所述不規則圖形與所述第一圖形構成OPC修正前的原始版圖圖形;所述第二圖形的兩個端部連接有不規則圖形,所述不規則圖形與所述第二圖形構成OPC修正前的原始版圖圖形;所述第三圖形右端部連接有不規則圖形,所述不規則圖形與所述第三圖形構成OPC修正前的原始版圖圖形。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華力集成電路制造有限公司,未經上海華力集成電路制造有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010446374.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





