[發(fā)明專利]一種測(cè)試器件及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010445263.9
• 申請(qǐng)日: 2020-05-24
• 公開（公告）號(hào): CN111665289A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱健
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州銦菲半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號(hào): G01N27/327
• 分類號(hào): G01N27/327
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N測(cè)試器件及其制備方法，測(cè)試器件包括：基底，以及在基底表面依次制備的加熱電極、絕緣層以及測(cè)試電極；加熱電極用于對(duì)測(cè)試電極加熱，直至溫度達(dá)到預(yù)設(shè)溫度；測(cè)試電極用于在預(yù)設(shè)溫度下與待測(cè)物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)，生成測(cè)試信號(hào)。將基底、加熱電極、絕緣層以及測(cè)試電極集成為面積較小的芯片，不僅提高了溫度控制能力，還縮小了測(cè)試器件的體積，降低功耗。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種測(cè)試器件及其制備方法。

背景技術(shù)

在生物檢測(cè)等領(lǐng)域中，通常需要在預(yù)設(shè)溫度下對(duì)待檢測(cè)的生物液體等進(jìn)行檢測(cè)。然而，目前在對(duì)待檢測(cè)的生物液體等進(jìn)行加熱時(shí)，采用的加熱裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜、體積大，導(dǎo)致在檢測(cè)消耗的功耗大，且溫度控制能力差。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種測(cè)試器件及其制備方法，以解決相關(guān)技術(shù)存在的問(wèn)題，技術(shù)方案如下：

第一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種測(cè)試器件，包括：基底，以及在基底表面依次制備的加熱電極、絕緣層以及測(cè)試電極；

加熱電極用于對(duì)測(cè)試電極加熱，直至溫度達(dá)到預(yù)設(shè)溫度；

測(cè)試電極用于在預(yù)設(shè)溫度下與待測(cè)物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)，生成測(cè)試信號(hào)。

在一種實(shí)施方式中，基底包括：

襯底層，襯底層的中央開設(shè)有通孔，通孔所在的區(qū)域作為第一區(qū)域，襯底層表面剩余部分作為第二區(qū)域；

支撐層，支撐層制備于所襯底層上表面，且覆蓋通孔；

其中，第二區(qū)域包括導(dǎo)電區(qū)，導(dǎo)電區(qū)暴露襯底層的上表面。

在一種實(shí)施方式中，加熱電極包括：

制備于第一區(qū)域中支撐層表面的多個(gè)同心圓環(huán)；以及

制備于導(dǎo)電區(qū)上表面的導(dǎo)電極，導(dǎo)電極與各同心圓環(huán)連接。

在一種實(shí)施方式中，測(cè)試電極層包括：

工作電極，工作電極包括呈圓形的第一端，第一端與第一預(yù)設(shè)半徑的同心圓環(huán)重疊；

輔助電極，輔助電極包括呈第一部分環(huán)形的第二端；

參比電極，參比電極包括呈第二部分環(huán)形的第三端；

第二端和第三端位于第二預(yù)設(shè)半徑的同心圓環(huán)和第三預(yù)設(shè)半徑的同心圓環(huán)之間，第一端用于與待測(cè)物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)，并與第二端或第三端構(gòu)成回路，輸出測(cè)試信號(hào)。

在一種實(shí)施方式中，第一預(yù)設(shè)半徑小于第二預(yù)設(shè)半徑，且第二預(yù)設(shè)半徑小于第三預(yù)設(shè)半徑。

在一種實(shí)施方式中，工作電極包括金電極、銀電極、鉑電極和鉛電極中的任一項(xiàng)；輔助電極包括鉑電極或石墨電極；參比電極包括飽和甘汞電極、銀電極、氯化銀電極、可逆氫電極、汞電極、氧化汞電極和硫酸亞汞電極中的任一項(xiàng)。

在一種實(shí)施方式中，加熱電極包括金電極，加熱電極的厚度范圍包括300nm-350nm。。

在一種實(shí)施方式中，絕緣層包括氮化硅層，絕緣層的厚度范圍包括1000nm-1500nm。

在一種實(shí)施方式中，襯底層包括硅層，硅層的厚度范圍包括450μm-550μm；

支撐層包括氧化硅層，支撐層的厚度范圍包括1500nm-2000nm。

第二方面，本申請(qǐng)實(shí)施方式提供了一種測(cè)試器件制備方法，包括：

提供一襯底層，并在襯底層表面制備支撐層，得到基底；

利用第一掩膜板在基底表面蒸鍍加熱電極材料，得到加熱電極；