[發明專利]一種測試器件及其制備方法

在審

• 申請號: 202010445263.9
• 申請日: 2020-05-24
• 公開（公告）號: CN111665289A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: 朱健
• 申請（專利權）人: 蘇州銦菲半導體科技有限公司
• 主分類號: G01N27/327
• 分類號: G01N27/327
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種測試器件，其特征在于，包括：基底，以及在所述基底表面依次制備的加熱電極、絕緣層以及測試電極；

所述加熱電極用于對所述測試電極加熱，直至溫度達到預設溫度；

所述測試電極用于在所述預設溫度下與待測物質發生反應，生成測試信號。

2.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述基底包括：

襯底層，所述襯底層的中央開設有通孔，所述通孔所在的區域作為第一區域，所述襯底層表面剩余部分作為第二區域；

支撐層，所述支撐層制備于所襯底層上表面，且覆蓋所述通孔；

其中，所述第二區域包括導電區，所述導電區暴露所述襯底層的上表面。

3.根據權利要求2所述的器件，其特征在于，所述加熱電極包括：

制備于所述第一區域中所述支撐層表面的多個同心圓環；以及

制備于所述導電區上表面的導電極，所述導電極與各所述同心圓環連接。

4.根據權利要求3所述的器件，其特征在于，所述測試電極層包括：

工作電極，所述工作電極包括呈圓形的第一端，所述第一端與第一預設半徑的同心圓環重疊；

輔助電極，所述輔助電極包括呈第一部分環形的第二端；

參比電極，所述參比電極包括呈第二部分環形的第三端；

所述第二端和所述第三端位于所述第二預設半徑的同心圓環和所述第三預設半徑的同心圓環之間，所述第一端用于與所述待測物質發生反應，并與所述第二端或所述第三端構成回路，輸出所述測試信號。

5.根據權利要求4所述的器件，其特征在于，所述第一預設半徑小于所述第二預設半徑，且所述第二預設半徑小于所述第三預設半徑。

6.根據權利要求4所述的器件，其特征在于，所述工作電極包括金電極、銀電極、鉑電極和鉛電極中的任一項；所述輔助電極包括鉑電極或石墨電極；所述參比電極包括飽和甘汞電極、銀電極、氯化銀電極、可逆氫電極、汞電極、氧化汞電極和硫酸亞汞電極中的任一項。

7.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述加熱電極包括金電極，所述加熱電極的厚度范圍包括300nm-350nm。

8.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述絕緣層包括氮化硅層，所述絕緣層的厚度范圍包括1000nm-1500nm。

9.根據權利要求2所述的器件，其特征在于，所述襯底層包括硅層，所述硅層的厚度范圍包括450μm-550μm；

所述支撐層包括氧化硅層，所述支撐層的厚度范圍包括1500nm-2000nm。

10.一種測試器件制備方法，其特征在于，包括：

提供一襯底層，并在所述襯底層表面制備支撐層，得到基底；

利用第一掩膜板在所述基底表面蒸鍍加熱電極材料，得到加熱電極；

在所述加熱電極表面制備絕緣層，并利用第二掩膜板在所述絕緣層表面蒸鍍測試電極材料，得到測試電極，以使所述測試電極在所述加熱電極提供的預設溫度下與待測物質發生反應，生成測試信號。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，提供一襯底層，并在所述襯底層表面制備支撐層，得到基底，包括：

在所述襯底層的中央區域劃分得到第一區域，剩余部分作為第二區域；

在所述襯底層上表面制備所述支撐層，并對所述第二區域對應的支撐層進行刻蝕，暴露所述襯底層的表面，形成導電區。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，還包括：

對所述第一區域進行刻蝕，保留覆蓋于所述第一區域表面的所述支撐層。

13.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，利用第一掩膜板在所述基底表面蒸鍍加熱電極材料，得到加熱電極，包括：

利用所述第一掩膜板在所述第一區域對應的支撐層表面形成多個同心圓環，所述導電區的上表面形成所述導電極，各所述同心圓環與所述導電極連接，各所述同心圓環和所述導電極構成所述加熱電極。