[發明專利]納米晶材料檢測設備有效
| 申請號: | 202010441496.1 | 申請日: | 2020-05-22 |
| 公開(公告)號: | CN111573274B | 公開(公告)日: | 2022-03-15 |
| 發明(設計)人: | 蒙海;蔡雄飛;魏子健;聞劉勇;任瀟;周明;曹葵康;徐一華 | 申請(專利權)人: | 蘇州天準科技股份有限公司 |
| 主分類號: | B65G47/91 | 分類號: | B65G47/91;B65G29/00;G01D21/02 |
| 代理公司: | 上海華誠知識產權代理有限公司 31300 | 代理人: | 徐穎聰 |
| 地址: | 215000 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 納米 材料 檢測 設備 | ||
本發明提供一種納米晶材料檢測設備,包括檢測平臺和厚度檢測裝置,所述厚度檢測裝置包括:支架,所述支架設置在所述檢測平臺的一側;位移傳感器,所述位移傳感器設置在所述納米晶材料的上方,用于檢測所述檢測平臺承載納米晶材料與未承載納米晶材料之間的高度差,并基于所述高度差確定所承載的納米晶材料的厚度;升降裝置,所述升降裝置設置在所述支架上且連接所述位移傳感器,用于帶動所述位移傳感器進行升降運動。根據本發明的納米晶材料檢測設備,能夠自動化且快速地進行納米晶材料的轉移并對納米晶材料進行厚度檢測、二維尺寸檢測及電性能檢測。
技術領域
本發明涉及納米晶檢測領域,具體涉及納米晶材料檢測設備。
背景技術
通常納米晶材料的厚度和二維尺寸通過游標卡尺檢測,需要一片片取出納米晶材料,手動操作游標卡尺對納米晶材料進行檢測,再放回納米晶材料,效率比較慢,浪費人力,且操作過程容易污染和損壞納米晶材料;
而且,過程需要對納米晶多個項目進行檢測,例如納米晶材料電性能、二維尺寸和厚度進行檢測,手動搬運納米晶材料進行各個項目的檢測,過程速度很慢,產能很低。
發明內容
有鑒于此,本發明提供一種納米晶材料檢測設備,能夠自動化且快速地進行納米晶材料的轉移并對納米晶材料進行厚度檢測、二維尺寸檢測及電性能檢測。
為解決上述技術問題,本發明提供一種納米晶材料檢測設備包括檢測平臺和厚度檢測裝置,所述檢測平臺用于承載待檢測用納米晶材料,所述厚度檢測裝置用于對所述檢測平臺上的納米晶材料進行厚度檢測,
所述厚度檢測裝置包括:
支架,所述支架設置在所述檢測平臺的一側;
位移傳感器,所述位移傳感器設置在所述納米晶材料的上方,用于檢測所述檢測平臺承載納米晶材料與未承載納米晶材料之間的高度差,并基于所述高度差確定所承載的納米晶材料的厚度;
升降裝置,所述升降裝置設置在所述支架上且連接所述位移傳感器,用于帶動所述位移傳感器進行升降運動。
進一步地,所述升降裝置包括:
壓板,所述壓板表面形成有貫穿孔,所述位移傳感器的至少一部分穿過所述貫穿孔以與納米晶材料接觸;
驅動件,所述驅動件設置在所述支架上且連接所述壓板,以驅動所述壓板進行升降運動。
進一步地,所述位移傳感器包括:
位移傳感器主體,所述位移傳感器主體安裝在所述支架上;
探頭,所述探頭位于所述位移傳感器的下端且可上下活動,所述探頭卡套在所述貫穿孔位置且其底端突出所述貫穿孔。
進一步地,在所述壓板的下表面的四周設置有柔性擋條,以圍繞在所述納米晶材料的四周。
進一步地,納米晶材料檢測設備還包括:
第一轉盤,所述檢測平臺設置在所述第一轉盤周向上,所述厚度檢測裝置與所述第一轉盤相對設置,通過旋轉所述第一轉盤能夠使得所述檢測平臺在接轉料工位和厚度檢測工位之間轉換;
第一驅動裝置,所述第一驅動裝置設置在所述第一轉盤的底部且連接所述第一轉盤,用于驅動所述第一轉盤轉動。
進一步地,納米晶材料檢測設備還包括二維尺寸檢測裝置,用于對納米晶材料的二維尺寸進行檢測,所述二維尺寸檢測裝置圍繞所述第一轉盤設置且與所述厚度檢測裝置間隔開,通過旋轉所述第一轉盤還能夠使得所述檢測平臺轉動至尺寸檢測工位,以進行二維尺寸檢測,
其中,所述二維尺寸檢測裝置包括:
相機,所述相機與所述檢測平臺相對設置,用于采集納米晶材料的圖像;
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