[發(fā)明專利]納米晶材料檢測設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010441496.1 | 申請日： | 2020-05-22 |
| 公開（公告）號： | CN111573274B | 公開（公告）日： | 2022-03-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 蒙海;蔡雄飛;魏子健;聞劉勇;任瀟;周明;曹葵康;徐一華 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州天準(zhǔn)科技股份有限公司 |
| 主分類號： | B65G47/91 | 分類號： | B65G47/91;B65G29/00;G01D21/02 |
| 代理公司： | 上海華誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31300 | 代理人： | 徐穎聰 |
| 地址： | 215000 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 納米 材料 檢測 設(shè)備 | ||
1.一種納米晶材料檢測設(shè)備，其特征在于，包括檢測平臺(200)和厚度檢測裝置(100)，所述檢測平臺(200)用于承載待檢測用納米晶材料，所述厚度檢測裝置(100)用于對所述檢測平臺(200)上的納米晶材料進(jìn)行厚度檢測，
所述厚度檢測裝置(100)包括：
支架(120)，所述支架(120)設(shè)置在所述檢測平臺(200)的一側(cè)；
位移傳感器(130)，所述位移傳感器(130)設(shè)置在所述納米晶材料的上方，用于檢測所述檢測平臺(200)承載納米晶材料與未承載納米晶材料之間的高度差，并基于所述高度差確定所承載的納米晶材料的厚度；
升降裝置(140)，所述升降裝置(140)設(shè)置在所述支架(120)上且連接所述位移傳感器(130)，用于帶動所述位移傳感器(130)進(jìn)行升降運動；
其中，所述升降裝置(140)包括：
壓板(142)，所述壓板(142)表面形成有貫穿孔，所述位移傳感器(130)的至少一部分穿過所述貫穿孔以與納米晶材料接觸；
驅(qū)動件(141)，所述驅(qū)動件(141)設(shè)置在所述支架(120)上且連接所述壓板(142)，以驅(qū)動所述壓板(142)進(jìn)行升降運動；
其中，所述位移傳感器(130)包括：
位移傳感器主體，所述位移傳感器主體安裝在所述支架(120)上；
探頭，所述探頭位于所述位移傳感器(130)的下端且可上下活動，所述探頭卡套在所述貫穿孔位置且其底端突出所述貫穿孔；
第一轉(zhuǎn)盤(610)，所述檢測平臺(200)設(shè)置在所述第一轉(zhuǎn)盤(610)周向上，所述厚度檢測裝置(100)與所述第一轉(zhuǎn)盤(610)相對設(shè)置，通過旋轉(zhuǎn)所述第一轉(zhuǎn)盤(610)能夠使得所述檢測平臺(200)在接轉(zhuǎn)料工位和厚度檢測工位之間轉(zhuǎn)換；
第一驅(qū)動裝置(620)，所述第一驅(qū)動裝置(620)設(shè)置在所述第一轉(zhuǎn)盤(610)的底部且連接所述第一轉(zhuǎn)盤(610)，用于驅(qū)動所述第一轉(zhuǎn)盤(610)轉(zhuǎn)動；
還包括納米晶材料電性能檢測裝置(400)、第二轉(zhuǎn)盤(510)、第二驅(qū)動裝置(520)及轉(zhuǎn)移裝置(900)，
所述納米晶材料電性能檢測裝置(400)圍繞所述第二轉(zhuǎn)盤(510)設(shè)置，包括：升降平臺(410)、驅(qū)動裝置、電檢測單元及壓力檢測裝置，所述升降平臺(410)設(shè)置在所述第二轉(zhuǎn)盤(510)的周向，用于承載納米晶材料以進(jìn)行電性能檢測，所述驅(qū)動裝置與所述升降平臺(410)相連，用于驅(qū)動所述升降平臺(410)進(jìn)行升降運動，所述電檢測單元設(shè)置在所述升降平臺(410)的上方且所述壓力檢測裝置連接所述電檢測單元，所述壓力檢測裝置用于檢測所述電檢測單元與納米晶材料之間的壓力，所述電檢測單元用于檢測在所述壓力狀態(tài)下的所述納米晶材料的電性能；
所述第二轉(zhuǎn)盤(510)設(shè)置在所述第一轉(zhuǎn)盤(610)的上游，所述升降平臺(410)設(shè)置在所述第二轉(zhuǎn)盤(510)的周向，通過旋轉(zhuǎn)所述第二轉(zhuǎn)盤(510)能夠使得所述升降平臺(410)到達(dá)接料工位、電性能檢測工位及轉(zhuǎn)料工位；
所述第二驅(qū)動裝置(520)設(shè)置在所述第二轉(zhuǎn)盤(510)的底部且連接所述第二轉(zhuǎn)盤(510)，用于驅(qū)動所述第二轉(zhuǎn)盤(510)轉(zhuǎn)動；
所述轉(zhuǎn)移裝置(900)設(shè)置在所述第一轉(zhuǎn)盤(610)和所述第二轉(zhuǎn)盤(510)的同一左側(cè)或右側(cè)，包括用于吸附納米晶材料的吸盤(920)及驅(qū)動所述吸盤(920)進(jìn)行移動的電機(910)，以將承載在所述升降平臺(410)的納米晶材料轉(zhuǎn)移至所述檢測平臺(200)，并將承載在所述檢測平臺(200)的納米晶材料轉(zhuǎn)移出所述第一轉(zhuǎn)盤(610)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米晶材料檢測設(shè)備，其特征在于，在所述壓板(142)的下表面的四周設(shè)置有柔性擋條(143)，以圍繞在所述納米晶材料的四周。
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