[發明專利]蒸鍍坩堝、蒸鍍設備以及蒸鍍方法

在審

• 申請號: 202010440858.5
• 申請日: 2020-05-22
• 公開（公告）號: CN111471967A
• 公開（公告）日: 2020-07-31
• 發明（設計）人: 匡友元
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/12;H01L51/56
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 刁文魁

本發明適用于蒸鍍工藝技術領域，提供了一種蒸鍍坩堝和蒸鍍設備、以及使用該蒸鍍設備的蒸鍍方法。其中，所述蒸鍍坩堝用于基板沉積，包括坩堝本體、緩沖室和導流支管，所述緩沖室設于所述坩堝本體上方，并與其連通；所述導流支管設于所述緩沖室上方并與所述緩沖室連通。上述蒸鍍坩堝能夠有效提高材料的利用率。

技術領域

本發明涉及蒸鍍工藝技術領域，特別涉及一種蒸鍍坩堝、蒸鍍設備以及蒸鍍方法。

背景技術

OLED作為新一代的固態自發光顯示技術，相較于液晶顯示具有超薄、響應度高、對比度高、功耗低等優勢，近幾年產業化速度突飛猛進。三星、LG已經把AMOLED顯示屏應用于自家的智能手機上，獲得了非常好的市場。目前OLED主流的制備技術和方法是蒸鍍法，即在真空腔體內加熱有機小分子材料，使其升華或者熔融氣化成材料蒸汽，透過金屬光罩的開孔沉積在玻璃基板上。然后通過在封裝手套箱體內用玻璃或金屬后蓋涂布膠框的封裝方式完成對OLED器件的密封。

在現有的OLED point source坩堝蒸發系統中，受制于加熱方式，材料利用較低，采用點或線性蒸發源，材料利用率在1％---10％之間；造成目前OLED產業材料利用率低，OLED相關產品價格高昂；對于OLED產線而言，材料利用率低。

發明內容

本發明的目的在于提供一種蒸鍍坩堝、蒸鍍設備及蒸鍍方法，旨在解決上述材料利用率低的技術問題。

本發明是這樣實現的，提供一種蒸鍍坩堝，用于基板沉積，包括坩堝本體，緩沖室和導流支管；所述緩沖室設于所述坩堝本體上方，并與其連通；所述導流支管設于所述緩沖室上方并與所述緩沖室連通。

在一個實施例中，所述坩堝本體形成容納腔，所述容納腔頂部開口與所述緩沖室連通。

在一個實施例中，還包括設置在所述緩沖室內的分散板，將緩沖室分為第一空腔和第二空腔；所述分散板用于緩沖從所述坩堝本體受熱的蒸鍍材料分子避免其直接對沖基板。

在一個實施例中，所述緩沖室兩側設有惰性氣體通入管道；所述惰性氣體通入管道與所述緩沖室與所述第一空腔連通。

在一個實施例中，所述緩沖室設有頂面；所述導流支管為多個，均一端穿過所述頂面伸入所述緩沖室內，與緩沖室連通，所述多個導流支管均勻設置于所述頂面。

在一個實施例中，每個所述導流支管均垂直于基板設置。

在一個實施例中，每個所述導流支管長度為10厘米至30厘米之間。

一種蒸鍍設備，用于基板沉積，包括：蒸鍍腔室、位于蒸鍍腔室內如上述任一實施例所述的蒸鍍坩堝。

在一個實施例中，所述蒸鍍腔室為密閉真空腔體。

本發明還提供一種使用上述的蒸鍍坩堝的蒸鍍方法，包括以下步驟：

將待蒸鍍的蒸鍍材料置于所述坩堝本體的底部并加熱坩堝本體以使所述待蒸鍍的蒸鍍材料受熱變成蒸鍍材料分子蒸汽；

所述蒸鍍材料分子蒸汽向上運動進入所述緩沖室；

其中蒸鍍材料在所述坩堝本體底部，加熱所述坩堝本體，蒸鍍材料受熱變成蒸汽狀態，進入所述緩沖室，形成一個對外的飽和壓力差；通過所述惰性氣體通入管道向所述緩沖室內通入惰性氣體，且所述惰性氣體溫度接近或略高于蒸鍍材料分子蒸汽；

蒸鍍材料分子與惰性氣體分子發生碰撞獲得動能，通過從導流支管射出，沉積在所述基板上；所述基板預先加熱至一定溫度。

本發明提供的蒸鍍坩堝、蒸鍍設備以及蒸鍍方法的有益效果在于：本發明通過在坩堝本體上方設置一個緩沖室，緩沖室頂部連通導流支管，通過導流支管局限蒸鍍材料分子射出角度來減少材料浪費

附圖說明