[發明專利]蒸鍍坩堝、蒸鍍設備以及蒸鍍方法

在審

• 申請號: 202010440858.5
• 申請日: 2020-05-22
• 公開（公告）號: CN111471967A
• 公開（公告）日: 2020-07-31
• 發明（設計）人: 匡友元
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/12;H01L51/56
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 刁文魁

1.一種蒸鍍坩堝，用于基板沉積蒸鍍材料，包括坩堝本體，其特征在于，還包括緩沖室和導流支管；所述緩沖室設于所述坩堝本體上方，并與其連通；所述導流支管設于所述緩沖室上方并與所述緩沖室連通。

2.如權利要求1所述的蒸鍍坩堝，其特征在于，所述坩堝本體形成容納腔，所述容納腔頂部開口與所述緩沖室連通。

3.如權利要求1所述的蒸鍍坩堝，其特征在于，還包括設置在所述緩沖室內的分散板，將緩沖室分為第一空腔和第二空腔；所述分散板用于緩沖從所述坩堝本體受熱的材料分子避免其直接對沖基板。

4.如權利要求1所述的蒸鍍坩堝，其特征在于，所述緩沖室兩側設有惰性氣體通入管道；所述惰性氣體通入管道與所述緩沖室的所述第一空腔連通。

5.如權利要求1所述的蒸鍍坩堝，其特征在于，所述緩沖室設有頂面；所述導流支管為多個，均一端穿過所述頂面伸入所述緩沖室內，與所述緩沖室連通，所述多個導流支管均勻設置于所述頂面面。

6.如權利要求5所述的蒸鍍坩堝，其特征在于，每個所述導流支管均垂直于所述基板設置。

7.如權利要求6所述的蒸鍍坩堝，其特征在于，每個所述導流支管長度為10厘米至30厘米之間。

8.一種蒸鍍設備，用于基板沉積蒸鍍材料，其特征在于，包括：蒸鍍腔室、位于蒸鍍腔室內如權利要求1～7任一項所述的蒸鍍坩堝。

9.如權利要求8所述的蒸鍍設備，其特征在于，所述蒸鍍腔室為密閉真空腔體。

10.一種使用權利要求1-7任一項所述的蒸鍍坩堝的蒸鍍方法，其特征在于，包括以下步驟：

將蒸鍍材料置于所述坩堝本體的底部并加熱坩堝本體以使所述蒸鍍材料受熱變成蒸鍍材料分子蒸汽；

所述蒸鍍材料分子蒸汽向上運動進入所述緩沖室；

所述惰性氣體通入管道向所述緩沖室內通入惰性氣體；

蒸鍍材料分子與惰性氣體分子發生碰撞獲得動能，從導流支管射出，沉積在所述基板上。