[發明專利]一種避免二次芯片蝕刻的蝕刻機在審
| 申請號: | 202010439791.3 | 申請日: | 2020-05-22 |
| 公開(公告)號: | CN111564395A | 公開(公告)日: | 2020-08-21 |
| 發明(設計)人: | 李偉明 | 申請(專利權)人: | 廣州冰鈁商貿有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 510000 廣東省廣州市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 避免 二次 芯片 蝕刻 | ||
本發明公開了一種避免二次芯片蝕刻的蝕刻機,其結構包括底座、控制板、蝕刻箱、防護布、柜門、觀察窗,控制板螺栓連接在底座前上方位置,蝕刻箱嵌固連接在底座頂端,蝕刻箱包括調節裝置、固定塊、導桿、滑塊、導管,調節裝置嵌固連接在蝕刻箱內部最下方,滑塊間隙配合安裝在導桿外部,本發明通過刺柱配合上方的彈條與滑桿,使其與撥動器進行嚙合配合,蝕刻液通過導管,流入到環條的鏤空處,經過鏤空處向下噴淋,當蝕刻液經過鏤空處時,滾球因蝕刻液流動而快速轉動,能夠進一步提高蝕刻液的流動能力,使其進行快速的蝕刻工作,并且環形狀態的環條擴大蝕刻的儲蓄容量,減小排出口,使得噴淋的蝕刻液變得更加集中,避免蝕刻液噴淋不均勻的問題。
技術領域
本發明涉及芯片蝕刻領域,更加具體來說,是涉及到一種避免二次芯片蝕刻的蝕刻機。
背景技術
蝕刻通常也稱光化學蝕刻,指通過顯影后,將要蝕刻區域的保護膜去除,在蝕刻時接觸化學溶液,達到溶解腐蝕的作用,目前,市面上的蝕刻機大多為噴淋式蝕刻機,噴淋式蝕刻機上設有蝕刻噴淋裝置,在對芯片進行噴淋蝕刻時,由于噴頭和其他部件的阻擋,會造成噴淋不均勻的情況出現,并且蝕刻液會飛濺到蝕刻箱頂部,因蝕刻箱頂部為平面結構,飛濺到蝕刻箱頂部的蝕刻液會再次滴落到蝕刻工作臺面上,導致芯片的二次蝕刻,二次蝕刻會降低芯片的蝕刻品質。
發明內容
針對上述由于噴頭和其他部件的阻擋,蝕刻液會飛濺到蝕刻箱頂部,且蝕刻箱頂部為平面結構,飛濺到蝕刻箱頂部的藥水會再次滴落到蝕刻工作臺面上的問題,本發明提供一種避免二次芯片蝕刻的蝕刻機。
為了實現上述目的,本發明是通過如下的技術方案來實現:一種避免二次芯片蝕刻的蝕刻機,其結構包括底座、控制板、蝕刻箱、防護布、柜門、觀察窗,所述觀察窗嵌固連接在柜門正前方,所述柜門活動卡合在蝕刻箱前方,所述控制板螺栓連接在底座前上方位置,所述防護布鉚合連接在蝕刻箱外部,所述蝕刻箱嵌固連接在底座頂端,所述蝕刻箱主要包括調節裝置、固定塊、導桿、滑塊、導管,所述調節裝置嵌固連接在蝕刻箱內部最下方,所述導桿螺栓連接在蝕刻箱內部中段處,所述滑塊間隙配合安裝在導桿外部,所述固定塊鉚合連接調節裝置上方,所述導管電連接在導桿后方。
作為本發明的更進一步改進,所述調節裝置主要包括底板、結合板、接觸片,所述接觸片活動卡合在結合板上方,所述底板嵌固連接在結合板底部位置,所述接觸片,表層還覆蓋一層較薄的海綿墊,具有一定柔軟度。
作為本發明的更進一步改進,所述結合板主要包括驅動器、緩沖機構、連接板、銜接塊,所述驅動器嵌套連接在底板兩側,所述緩沖機構配合連接板過盈連接在驅動器上方,所述銜接塊嵌固連接在驅動器側上方,所述驅動器上方鉚合連接有接觸片,所述緩沖機構共設有兩處,且以底板為中線呈對稱結構分布安裝。
作為本發明的更進一步改進,所述緩沖機構主要包括套體、撥動器、刺柱、輔助塊、聯合片、彈條、滑桿、支撐桿,所述套體內部設有撥動器,所述刺柱嵌固連接在聯合片下方,所述輔助塊通過彈條與支撐桿相連接,所述滑桿活動卡合在輔助塊兩側,所述滑桿間隙配合安裝在套體內壁,所述套體內部設有多個撥動器,且間隙配合安裝在刺柱之間的間隙,形成齒輪嚙合狀態。
作為本發明的更進一步改進,所述撥動器主要包括固定板、半球、角塊,所述角塊配合半球與套體相連接,所述半球嵌套連接在固定板內部,所述固定板貼合與套體側方,所述角塊采用天然乳膠材質,具有一定堅韌度與回彈性。
作為本發明的更進一步改進,所述滑塊主要包括套板、墊板、銜接板、環條,所述銜接板嵌套連接在套板內部,所述套板貼合于環條上方,所述墊板嵌固連接在環條底部位置,所述環條呈環形的鏤空狀態。
作為本發明的更進一步改進,所述環條主要包括環套、阻擋片、滾球,所述滾球間隙配合安裝在環套內部,所述阻擋片嵌固連接在環套外部,所述環套內部設有若干個滾球,且滾球活動卡合在阻擋片之間。
有益效果
與現有技術相比,本發明有益效果如下:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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