[發(fā)明專利]微型發(fā)光二極管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010437919.2 | 申請日: | 2020-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN111564542B | 公開(公告)日: | 2021-06-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 史詒君;陳培欣;陳奕靜 | 申請(專利權(quán))人: | 錼創(chuàng)顯示科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/36 | 分類號: | H01L33/36 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 朱穎;劉芳 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科學(xué)園*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 微型 發(fā)光二極管 | ||
本發(fā)明提供一種微型發(fā)光二極管,包括磊晶結(jié)構(gòu)、第一電極以及第二電極。磊晶結(jié)構(gòu)具有表面。第一電極與第二電極分別配置于磊晶結(jié)構(gòu)的表面上。第二電極位于第一電極的外側(cè),且第二電極與磊晶結(jié)構(gòu)的幾何中心呈對稱配置。本發(fā)明提供的微型發(fā)光二極管,其于后續(xù)轉(zhuǎn)移接合程序時,電極無須對位且受力平均,可具有較佳地結(jié)構(gòu)可靠度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種發(fā)光結(jié)構(gòu),尤其涉及一種微型發(fā)光二極管。
背景技術(shù)
微型發(fā)光二極管顯示器具有低功耗、高亮度、高色彩飽和度、反應(yīng)速度快以及省電等優(yōu)點(diǎn),不僅如此,微型發(fā)光二極管顯示器更具有材料穩(wěn)定性佳與無圖像殘留(imagesticking)等優(yōu)勢。因此,微型發(fā)光二極管顯示器的顯示技術(shù)的發(fā)展備受關(guān)注。
就制程上而言,在將微型發(fā)光二極管自成長基板轉(zhuǎn)移至驅(qū)動電路基板的過程中,需對微型發(fā)光二極管進(jìn)行加熱加壓,以使微型發(fā)光二極管電性接合于驅(qū)動電路基板。然而,現(xiàn)今的微型發(fā)光二極管因是通過貫孔的設(shè)計(jì)而使N電極與N型半導(dǎo)體層電性連接,因而導(dǎo)致配置在磊晶結(jié)構(gòu)層同一側(cè)且位于左右兩旁的P電極與N電極在轉(zhuǎn)移時受力不均。此外,在轉(zhuǎn)移的過程中,也需要花費(fèi)時間來將P電極與N電極準(zhǔn)確地對位至驅(qū)動電路基板的接墊上。因此,如何使微型發(fā)光二極管的電極在轉(zhuǎn)移接合時受力平均且能快速對位已成為亟待克服的課題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是針對一種微型發(fā)光二極管,其于后續(xù)轉(zhuǎn)移接合程序時,電極無須對位且受力平均,可具有較佳地結(jié)構(gòu)可靠度。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,微型發(fā)光二極管包括磊晶結(jié)構(gòu)、第一電極以及第二電極。磊晶結(jié)構(gòu)具有表面。第一電極配置于磊晶結(jié)構(gòu)的表面上。第二電極配置于磊晶結(jié)構(gòu)的表面上。第二電極位于第一電極的外側(cè),且第二電極與磊晶結(jié)構(gòu)的幾何中心呈對稱配置。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的微型發(fā)光二極管中,上述的磊晶結(jié)構(gòu)包括第一型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二型半導(dǎo)體層以及至少一貫孔。發(fā)光層位于第一型半導(dǎo)體層與第二型半導(dǎo)體層之間,而貫孔從第二型半導(dǎo)體層延伸至第一型半導(dǎo)體層。微型發(fā)光二極管更包括絕緣層以及導(dǎo)電材料。絕緣層與第一電極配置于第二型半導(dǎo)體層上,且絕緣層延伸覆蓋貫孔的內(nèi)壁。導(dǎo)電材料填充于貫孔內(nèi),且位于第二電極與絕緣層之間。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的微型發(fā)光二極管中,上述的以俯視觀之,貫孔的面積與第二電極的面積的比率小于等于0.5。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的微型發(fā)光二極管中,上述的至少一貫孔包括兩貫孔,位于第一電極的相對兩側(cè)。兩貫孔與磊晶結(jié)構(gòu)的幾何中心呈對稱配置。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的微型發(fā)光二極管中,上述的以俯視觀之,第二電極的面積大于第一電極的面積。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的微型發(fā)光二極管中,上述的第二電極與磊晶結(jié)構(gòu)的幾何中心呈點(diǎn)對稱,或者是,第二電極與幾何中心的對稱線呈線對稱。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的微型發(fā)光二極管中,上述的第二電極與第一電極之間具有最小間距,且最小間距大于等于0.5微米。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的微型發(fā)光二極管中,上述的第一電極具有第一最大寬度,而第二電極具有第二最大寬度,且第二最大寬度小于等于第一最大寬度。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的微型發(fā)光二極管中,上述的第一電極與磊晶結(jié)構(gòu)的幾何中心呈對稱配置。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的微型發(fā)光二極管中,上述的第一電極與第二電極不共平面。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的微型發(fā)光二極管中,上述的第一電極的第一表面高于第二電極的第二表面。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的微型發(fā)光二極管中,上述的第一電極的楊氏模數(shù)小于第二電極的楊氏模數(shù)。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的微型發(fā)光二極管中,上述的第一電極的第一表面低于第二電極的第二表面。
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