[發明專利]微型發光二極管有效
| 申請號: | 202010437919.2 | 申請日: | 2020-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN111564542B | 公開(公告)日: | 2021-06-15 |
| 發明(設計)人: | 史詒君;陳培欣;陳奕靜 | 申請(專利權)人: | 錼創顯示科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/36 | 分類號: | H01L33/36 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 朱穎;劉芳 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科學園*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微型 發光二極管 | ||
1.一種微型發光二極管,其特征在于,包括:
磊晶結構,具有表面;
第一電極,配置于所述磊晶結構的所述表面上;以及
第二電極,配置于所述磊晶結構的所述表面上,其中所述第二電極位于所述第一電極的外側,且所述第二電極與所述磊晶結構的幾何中心呈對稱配置,所述第二電極具有第一電性與第二電性,所述第一電性不同于所述第二電性,而所述第二電性與所述第一電極的電性相同。
2.根據權利要求1所述的微型發光二極管,其特征在于,所述磊晶結構包括第一型半導體層、發光層、第二型半導體層以及至少一貫孔,所述發光層位于所述第一型半導體層與所述第二型半導體層之間,而所述至少一貫孔從所述第二型半導體層延伸至所述第一型半導體層,所述微型發光二極管更包括:
絕緣層,與所述第一電極配置于所述第一及第二型半導體層上,且所述絕緣層延伸覆蓋所述至少一貫孔的內壁;以及
導電材料,填充于所述至少一貫孔內,且位于所述第二電極與所述絕緣層之間。
3.根據權利要求2所述的微型發光二極管,其特征在于,以俯視觀之,所述至少一貫孔的面積與所述第二電極的面積的比率小于等于0.5。
4.根據權利要求2所述的微型發光二極管,其特征在于,所述至少一貫孔包括兩貫孔,位于所述第一電極的相對兩側,且所述兩貫孔與所述磊晶結構的所述幾何中心呈對稱配置。
5.根據權利要求1所述的微型發光二極管,其特征在于,以俯視觀之,所述第二電極的面積大于所述第一電極的面積。
6.根據權利要求1所述的微型發光二極管,其特征在于,所述第二電極與所述磊晶結構的所述幾何中心呈點對稱,或者是,所述第二電極與所述幾何中心的對稱線呈線對稱。
7.根據權利要求1所述的微型發光二極管,其特征在于,所述第二電極與所述第一電極之間具有最小間距,且所述最小間距大于等于0.5微米且小于等于10微米。
8.根據權利要求1所述的微型發光二極管,其特征在于,所述第一電極具有第一最大寬度,而所述第二電極具有第二最大寬度,且所述第二最大寬度小于等于所述第一最大寬度。
9.根據權利要求1所述的微型發光二極管,其特征在于,所述第一電極與所述磊晶結構的所述幾何中心呈對稱配置。
10.根據權利要求1所述的微型發光二極管,其特征在于,所述第一電極與所述第二電極不共平面。
11.根據權利要求10所述的微型發光二極管,其特征在于,所述第一電極的第一表面高于所述第二電極的第二表面。
12.根據權利要求11所述的微型發光二極管,其特征在于,所述第一電極的楊氏模數小于所述第二電極的楊氏模數。
13.根據權利要求10所述的微型發光二極管,其特征在于,所述第一電極的第一表面低于所述第二電極的第二表面。
14.根據權利要求13所述的微型發光二極管,其特征在于,所述第一電極的楊氏模數大于所述第二電極的楊氏模數。
15.根據權利要求1所述的微型發光二極管,其特征在于,所述第二電極的寬度小于所述第二電極與所述第一電極之間的距離。
16.根據權利要求1所述的微型發光二極管,其特征在于,以俯視觀之,所述磊晶結構的形狀與所述第二電極的形狀呈共形設置,且所述第二電極為環狀電極。
17.根據權利要求1所述的微型發光二極管,其特征在于,所述第二電極與所述磊晶結構的周圍表面具有間隔距離,且所述間隔距離小于等于5微米且大于等于0.5微米。
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