[發明專利]Ka波段接地共面波導金絲過渡結構

在審

• 申請號: 202010437081.7
• 申請日: 2020-05-21
• 公開（公告）號: CN111555006A
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發明（設計）人: 黎燕林;肖倩;朱建華;劉季超;周麗潔;程橋;王智會
• 申請（專利權）人: 深圳振華富電子有限公司
• 主分類號: H01P5/08
• 分類號: H01P5/08
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 徐漢華

本申請提供了一種Ka波段接地共面波導金絲過渡結構，包括接地共面波導、芯片和金絲，接地共面波導包括基板、接地底層、信號線和接地表層，信號線與各接地表層間隔設置，基板正面開設有容置槽，芯片安裝于容置槽中，信號線延伸至容置槽的一端，金絲與芯片相連，信號線鄰近芯片的一端與金絲之間級聯用于與金絲進行阻抗匹配的阻抗變換枝節，阻抗變換支節設于基板的正面。本申請提供的Ka波段接地共面波導金絲過渡結構，通過在信號線與金絲加入阻抗變換枝節，既可以良好的實現接地共面波導與金絲之間的阻抗匹配，有效解決因阻抗失配引起回波損耗和駐波比性能惡化的問題，又符合平面電路制作工藝要求，易于加工制作。

技術領域

本申請屬于微波無線電技術領域，更具體地說，是涉及一種Ka波段接地共面波導金絲過渡結構。

背景技術

Ka波段是指頻率在26.5～40GHz的無線電波波段。多芯片組件(Multi-ChipModule，多芯片組件，簡稱MCM)將多個集成電路芯片和其它片式元器件組裝在一塊高密度多層互連基板上，是微波/毫米波組件主流的實現方案。其中，傳輸線與芯片的連接是微波/毫米波組件組裝流程的關鍵環節。常見的傳輸線結構有微帶線、共面波導(CPW，Coplanarwaveguide)、帶狀線等。其中，共面波導的大面積接地與信號線處于同一平面，可以有效抑制輻射損耗和高頻色散，且結構設計靈活，可衍生出接地共面波導、非對稱共面波導等，并可與多芯片組件中其它部件能更好的進行集成。對于較低頻段的多芯片組件，傳輸線與芯片可通過金絲鍵合直接相連。然而，由于接地共面波導與金絲的阻抗差異巨大，將金絲與接地共面波導中信號線直接相連，會因阻抗失配引起較大的電磁波反射，使整個結構的回波損耗和駐波比性能惡化，且頻率越高，惡化越嚴重。

發明內容

本申請實施例的目的在于提供一種Ka波段接地共面波導金絲過渡結構，以解決相關技術中存在的Ka波段接地共面波導與金絲連接，會因阻抗失配引起回波損耗和駐波比性能惡化的問題。

為實現上述目的，本申請實施例采用的技術方案是：提供一種Ka波段接地共面波導金絲過渡結構，包括接地共面波導、芯片和連接所述芯片與所述接地共面波導的金絲，所述接地共面波導包括基板、設于所述基板背面的接地底層、設于所述基板正面的信號線和分別位于所述信號線兩側的接地表層，各所述接地表層設于所述基板正面，所述信號線與各所述接地表層間隔設置，所述基板正面開設有容置槽，所述芯片安裝于所述容置槽中，所述信號線延伸至所述容置槽的一端，所述金絲與所述芯片相連，所述信號線鄰近所述芯片的一端與所述金絲之間級聯用于與所述金絲進行阻抗匹配的阻抗變換枝節，所述阻抗變換支節設于所述基板的正面，所述阻抗變換支節位于兩個所述接地表層之間。

在一個實施例中，所述阻抗變換枝節包括高阻抗枝節和低阻抗枝節，所述高阻抗枝節的一端與所述信號線相連，所述高阻抗枝節的另一端與所述低阻抗枝節沿所述信號線寬度方向的中部相連，所述金絲與所述低阻抗枝節相連。

在一個實施例中，所述接地共面波導的特征阻抗為50Ω，所述阻抗變換枝節為金層；所述高阻抗枝節沿所述信號線長度方向的長度為0.25mm，所述高阻抗枝節沿所述信號線寬度方向的寬度為0.1mm，所述低阻抗枝節沿所述信號線長度方向的長度為0.25mm，所述低阻抗枝節沿所述信號線寬度方向的寬度為0.75mm。

在一個實施例中，所述信號線及所述接地表層均為金層，所述信號線的寬度為0.38mm，所述信號線與各所述接地表層之間的間隙為0.4mm。

在一個實施例中，所述阻抗變換支節通過兩根所述金絲與所述芯片相連，兩根所述金絲沿所述信號線長度方向呈八字型排布，兩根所述金絲靠近所述芯片一端的距離小于兩根所述金絲靠近所述阻抗變換支節一端的距離。

在一個實施例中，各所述金絲的跨距的范圍為小于或等于300μm，各所述金絲的拱高的范圍為100μm-200μm，兩根所述金絲靠近所述芯片一端的距離的范圍為小于或等于50μm，兩根所述金絲靠近所述阻抗變換支節一端的距離的范圍為100μm-250μm。