[發明專利]Ka波段接地共面波導金絲過渡結構

在審

• 申請號: 202010437081.7
• 申請日: 2020-05-21
• 公開（公告）號: CN111555006A
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發明（設計）人: 黎燕林;肖倩;朱建華;劉季超;周麗潔;程橋;王智會
• 申請（專利權）人: 深圳振華富電子有限公司
• 主分類號: H01P5/08
• 分類號: H01P5/08
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 徐漢華

1.Ka波段接地共面波導金絲過渡結構，包括接地共面波導、芯片和連接所述芯片與所述接地共面波導的金絲，所述接地共面波導包括基板、設于所述基板背面的接地底層、設于所述基板正面的信號線和分別位于所述信號線兩側的接地表層，各所述接地表層設于所述基板正面，所述信號線與各所述接地表層間隔設置，所述基板正面開設有容置槽，所述芯片安裝于所述容置槽中，所述信號線延伸至所述容置槽的一端，所述金絲與所述芯片相連，其特征在于：所述信號線鄰近所述芯片的一端與所述金絲之間級聯用于與所述金絲進行阻抗匹配的阻抗變換枝節，所述阻抗變換支節設于所述基板的正面，所述阻抗變換支節位于兩個所述接地表層之間。

2.如權利要求1所述的Ka波段接地共面波導金絲過渡結構，其特征在于：所述阻抗變換枝節包括高阻抗枝節和低阻抗枝節，所述高阻抗枝節的一端與所述信號線相連，所述高阻抗枝節的另一端與所述低阻抗枝節沿所述信號線寬度方向的中部相連，所述金絲與所述低阻抗枝節相連。

3.如權利要求2所述的Ka波段接地共面波導金絲過渡結構，其特征在于：所述接地共面波導的特征阻抗為50Ω，所述阻抗變換枝節為金層；所述高阻抗枝節沿所述信號線長度方向的長度為0.25mm，所述高阻抗枝節沿所述信號線寬度方向的寬度為0.1mm，所述低阻抗枝節沿所述信號線長度方向的長度為0.25mm，所述低阻抗枝節沿所述信號線寬度方向的寬度為0.75mm。

4.如權利要求3所述的Ka波段接地共面波導金絲過渡結構，其特征在于：所述信號線及所述接地表層均為金層，所述信號線的寬度為0.38mm，所述信號線與各所述接地表層之間的間隙為0.4mm。

5.如權利要求1-4任一項所述的Ka波段接地共面波導金絲過渡結構，其特征在于：所述阻抗變換支節通過兩根所述金絲與所述芯片相連，兩根所述金絲沿所述信號線長度方向呈八字型排布，兩根所述金絲靠近所述芯片一端的距離小于兩根所述金絲靠近所述阻抗變換支節一端的距離。

6.如權利要求5所述的Ka波段接地共面波導金絲過渡結構，其特征在于：各所述金絲的跨距的范圍為小于或等于300μm，各所述金絲的拱高的范圍為100μm-200μm，兩根所述金絲靠近所述芯片一端的距離的范圍為小于或等于50μm，兩根所述金絲靠近所述阻抗變換支節一端的距離的范圍為100μm-250μm。

7.如權利要求5所述的Ka波段接地共面波導金絲過渡結構，其特征在于：所述阻抗變換支節關于所述信號線長度方向的中線對稱設置，所述接地共面波導關于所述信號線長度方向的中線對稱設置，兩根所述金絲關于所述信號線長度方向的中線對稱設置。

8.如權利要求1-4任一項所述的Ka波段接地共面波導金絲過渡結構，其特征在于：所述信號線為兩段，兩段所述信號線分別位于所述容置槽的兩端，各所述信號線鄰近所述芯片的一端分別連接有所述阻抗變換支節，兩個所述阻抗變換支節分別通過所述金絲與所述芯片的兩端相連。

9.如權利要求1-4任一項所述的Ka波段接地共面波導金絲過渡結構，其特征在于：所述基板上于所述信號線的兩側分別設有至少兩排接地通孔，各所述接地通孔連接相應所述接地表層與所述接地底層；所述信號線各側鄰近該信號線的兩排所述接地通孔中：各排所述接地通孔中相鄰兩個所述接地通孔之間的距離范圍為0.5-1.1mm，該兩排所述接地通孔之間的距離范圍為0.5mm-1.5mm，該兩排所述接地通孔沿所述信號線長度方向錯位設置。

10.如權利要求1-4任一項所述的Ka波段接地共面波導金絲過渡結構，其特征在于，所述阻抗變換支節與各所述接地表層之間的間隙大于或等于0.225mm。