[發明專利]一種槽式清洗設備的密封蓋及槽式清洗設備有效
| 申請號: | 202010436620.5 | 申請日: | 2020-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN111589781B | 公開(公告)日: | 2022-04-22 |
| 發明(設計)人: | 劉東旭;王銳廷 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | B08B3/04 | 分類號: | B08B3/04;B08B13/00;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315 | 代理人: | 施敬勃 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 清洗 設備 密封 | ||
本發明公開一種槽式清洗設備的密封蓋及槽式清洗設備,所述密封蓋用于密封所述槽式清洗設備的清洗槽,所述密封蓋包括密封蓋本體(100)、密封膜(200)和支撐件(300);所述支撐件(300)設置于所述密封蓋本體(100)上,且所述支撐件(300)凸起于所述密封蓋本體(100)背離所述清洗槽的一側,所述密封膜(200)覆蓋所述密封蓋本體(100)背離所述清洗槽的一側,且所述支撐件(300)支撐所述密封膜(200),以使所述密封膜(200)形成導流斜面。上述方案能夠解決密封蓋積液較多而導致氣缸、密封蓋容易損壞以及污染液體流入清洗槽的問題。
技術領域
本發明涉及半導體制造技術領域,尤其涉及一種槽式清洗設備密封蓋及槽式清洗設備。
背景技術
在半導體加工的過程中,晶圓表面的清潔度是影響半導體器件可靠性的重要因素之一,而在晶圓的加工過程中,沉積、等離子體刻蝕、旋涂光刻膠、光刻、電鍍等加工方式均有可能導致晶圓表面引入污染或顆粒,導致晶圓表面的清潔度下降,致使采用該晶圓制造的半導體器件的良率低,因此在晶圓加工結束后需要利用清洗設備對晶圓進行清洗。
目前,晶圓一般利用槽式清洗設備進行清洗,槽式清洗設備一般分為若干個清洗槽,每個清洗槽均采用氣動式密封蓋,密封蓋可有效防止清洗過程中清洗液的揮發,還能夠防止清洗過程中污染物(例如灰塵、水、化學藥液等)進入清洗槽,造成清洗槽中清洗液受到污染,影響晶圓清洗的成功率。但是,目前的密封蓋為矩形圍欄式結構,只有在污染液體集滿此密封蓋時,污染液體才能夠流入排污區,導致密封蓋承載的污染液體重量較大,容易造成密封蓋上的密封膜破壞,從而導致密封蓋失效。同時,當污染液體集滿整個密封蓋時,此時利用氣缸打開密封蓋,會對氣缸產生巨大的沖擊力,造成氣缸超負荷工作,對氣缸產生破壞,且在密封蓋開啟的過程中,雖然槽式清洗設備設置有排污口,但此時污染液體的量超過排污口的承載量,過多的污染液體會流入清洗槽內,造成清洗槽內清洗液污染,影響沖洗效果。
發明內容
本發明公開一種槽式清洗設備的密封蓋及槽式清洗設備,能夠解決密封蓋積液較多而導致氣缸、密封蓋容易損壞以及污染液體流入清洗槽的問題。
為了解決上述問題,本發明采用下述技術方案:
一種槽式清洗設備的密封蓋,用于密封槽式清洗設備的清洗槽,所述密封蓋包括密封蓋本體、密封膜和支撐件;
所述支撐件設置于所述密封蓋本體上,且所述支撐件凸起于所述密封蓋本體背離所述清洗槽的一側,所述密封膜覆蓋所述密封蓋本體背離所述清洗槽的一側,且所述支撐件支撐所述密封膜,以使所述密封膜形成導流斜面。
一種槽式清洗設備,包括清洗槽和上述密封蓋,所述密封蓋可密封所述清洗槽。
本發明采用的技術方案能夠達到以下有益效果:
本發明實施例公開的槽式清洗設備的密封蓋及槽式清洗設備中,支撐件設置于密封蓋本體,且支撐件凸起于密封蓋本體背離清洗槽的一側,密封膜覆蓋密封蓋本體背離清洗槽的一側,且支撐件支撐密封膜,以使密封膜形成導流斜面。在具體的工作過程中,當污染液體滴落到導流斜面上時,污染液體在重力的作用下,污染液體能夠順著導流斜面快速地流走,防止污染液體在密封蓋上積存,相較于目前矩形圍欄式結構的密封蓋,本發明實施例公開的密封蓋不積液,從而能夠使得密封蓋承載的污染液體重量較小,防止密封蓋上的密封膜因污染液體的重量較大而破壞,進而避免密封蓋的損壞,進而能夠提高密封蓋的可靠性。
與此同時,在密封蓋不積液的情況下,此時利用氣缸等驅動機構打開密封蓋時,密封蓋對驅動機構產生的沖擊力較小,從而防止驅動機構超負荷工作,避免對驅動機構產生破壞,且在密封蓋開啟的過程中,由于本發明實施例公開的密封蓋不積液,從而使得污染液體通過導流斜面及時流走,污染液體最終會沿著密封膜的邊緣流向排污區,從而使得污染液體從排污區的排污口排出槽式清洗設備,防止污染液體的量超過排污口的承載量,導致過多的污染液體流入清洗槽內,從而避免清洗槽內清洗液的污染,影響晶圓的清洗效果。
附圖說明
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