[發(fā)明專利]半導體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010436421.4
• 申請日: 2020-05-21
• 公開（公告）號: CN111987092A
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發(fā)明（設計）人: 金成玟;河大元
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L23/528;H01L29/78
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張帆

一種半導體裝置包括有源圖案，其包括溝道區(qū)。溝道區(qū)布置在第一方向上彼此間隔開的第一源極/漏極圖案與第二源極/漏極圖案之間以及所述第一方向上彼此間隔開的第二源極/漏極圖案之間。所述溝道區(qū)被構造為將所述第一源極/漏極圖案彼此連接以及將所述第二源極/漏極圖案彼此連接。柵電極布置在有源圖案的底表面上，并且布置在第一源極/漏極圖案之間以及第二源極/漏極圖案之間。上互連線布置在與有源圖案的底表面相對的有源圖案的頂表面上，并且連接至第一源極/漏極圖案。

相關申請的交叉引用

該申請要求于2019年5月21日在韓國知識產(chǎn)權局提交的韓國專利申請No.10-2019-0059390的優(yōu)先權，該申請的公開以引用方式全文并入本文中。

技術領域

本公開涉及一種半導體裝置，并且具體地說，涉及一種包括場效應晶體管的半導體裝置及其制造方法。

背景技術

對高可靠性、高性能和/或多功能半導體裝置的需求越來越大。半導體裝置的結(jié)構復雜度和/或集成密度已經(jīng)提高，以滿足這些技術要求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構思的示例性實施例提供了一種具有高集成密度和提高的可靠性的半導體裝置。

根據(jù)本發(fā)明構思的示例性實施例，一種半導體裝置包括有源圖案，其包括溝道區(qū)。溝道區(qū)布置在第一方向上彼此間隔開的第一源極/漏極圖案和第二源極/漏極圖案之間。所述溝道區(qū)被構造為將所述第一源極/漏極圖案和所述第二源極/漏極圖案彼此連接。柵電極布置在有源圖案的底表面上，并且布置在第一源極/漏極圖案之間以及第二源極/漏極圖案之間。上互連線布置在與有源圖案的底表面相對的有源圖案的頂表面上，并且連接至第一源極/漏極圖案。

根據(jù)本發(fā)明構思的示例性實施例，一種半導體裝置包括在第一方向上彼此間隔開的第一源極/漏極圖案和第二源極/漏極圖案。有源圖案布置在第一源極/漏極圖案和第二源極/漏極圖案的相對的側(cè)壁之間。柵電極布置在有源圖案的底表面上。絕緣層布置在有源圖案的頂表面上。上互連線布置在絕緣層上，并且電連接至第一源極/漏極圖案。第一源極/漏極圖案包括鄰近于有源圖案的側(cè)表面的第一部分和從第一部分延伸至絕緣層中的第二部分。第一部分在第一方向上的最大寬度小于第二部分在第一方向上的最大寬度。

根據(jù)本發(fā)明構思的示例性實施例，一種半導體裝置包括襯底，其包括PMOS區(qū)和NMOS區(qū)。多個第一有源區(qū)設置在PMOS區(qū)上。所述多個第一有源區(qū)在第一方向上延伸。多個第二有源區(qū)設置在NMOS區(qū)上。所述多個第二有源區(qū)在第一方向上延伸。柵電極與所述多個第一有源區(qū)和所述多個第二有源區(qū)交叉，并且在與第一方向交叉的第二方向上延伸。柵電極的一部分位于第一有源區(qū)的底表面與襯底的頂表面之間。第一源極/漏極圖案在第一方向上彼此間隔開，并且柵電極介于它們之間。第一源極/漏極圖案連接至所述多個第一有源區(qū)。上互連線布置在與第一有源區(qū)的底表面相對的第一有源區(qū)的頂表面上。上互連線連接至第一源極/漏極圖案的至少一部分。

附圖說明

結(jié)合附圖，從以下簡要描述中將更清楚地理解示例性實施例。附圖表示如本文所述的非限制性示例性實施例。

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明構思的示例性實施例的半導體裝置的頂部平面圖；

圖2A至圖2C是根據(jù)本發(fā)明構思的示例性實施例的分別沿著圖1的線A-A'、B-B'和C-C'截取的截面圖；

圖3是示出根據(jù)本發(fā)明構思的示例性實施例的半導體裝置的沿著圖1的線A-A'截取的截面圖；

圖4A和圖4B是示出根據(jù)本發(fā)明構思的示例性實施例的半導體裝置的沿著圖1的線A-A'截取的截面圖；

圖5是示出根據(jù)本發(fā)明構思的示例性實施例的半導體裝置的沿著圖1的線A-A'截取的截面圖；