[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202010436421.4
• 申請日: 2020-05-21
• 公開（公告）號: CN111987092A
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: 金成玟;河大元
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L23/528;H01L29/78
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張帆

1.一種半導體裝置，包括：

有源圖案，其包括溝道區，所述溝道區布置在第一方向上彼此間隔開的第一源極/漏極圖案之間以及所述第一方向上彼此間隔開的第二源極/漏極圖案之間，所述溝道區被構造為將所述第一源極/漏極圖案和第二源極/漏極圖案彼此連接；

柵電極，其在所述有源圖案的底表面上，并且布置在所述第一源極/漏極圖案和所述第二源極/漏極圖案之間；以及

上互連線，其布置在與所述有源圖案的底表面相對的所述有源圖案的頂表面上，并且連接至所述第一源極/漏極圖案。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述第一源極/漏極圖案和所述第二源極/漏極圖案在高于所述有源圖案的頂表面的水平高度的水平高度處在所述第一方向上具有最大寬度。

3.根據權利要求1所述的裝置，還包括：

上接觸件，其耦接至所述第一源極/漏極圖案的頂表面；以及

下接觸件，其耦接至所述第二源極/漏極圖案的底表面。

4.根據權利要求3所述的裝置，其中，鄰近于所述第一源極/漏極圖案的頂表面的上接觸件的底表面在所述第一方向上的寬度大于鄰近于所述第二源極/漏極圖案的底表面的下接觸件的頂表面在所述第一方向上的寬度。

5.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述第一源極/漏極圖案包括：

第一部分，其鄰近于所述有源圖案的側表面；以及

第二部分，其從所述第一部分延伸，并且突出至所述有源圖案的頂表面上方，

其中，所述第二部分在所述第一方向上的寬度大于所述第一部分在所述第一方向上的寬度。

6.根據權利要求1所述的裝置，還包括：

所述柵電極側壁上的柵極間隔件，

其中，當在平面圖中看時，所述第一源極/漏極圖案和所述第二源極/漏極圖案與所述柵極間隔件重疊。

7.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述上互連線包括電力軌。

8.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述上互連線在所述第一方向上延伸。

9.根據權利要求1所述的裝置，其中，當在平面圖中看時，所述上互連線與所述第一源極/漏極圖案和所述第二源極/漏極圖案重疊。

10.根據權利要求1所述的裝置，還包括：

半導體襯底，其設置在所述柵電極下方；

所述柵電極與所述半導體襯底之間的層間絕緣層；以及

下互連線，其布置在所述層間絕緣層中，并且連接至所述第一源極/漏極圖案和所述第二源極/漏極圖案中的至少一個。

11.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述有源圖案包括彼此豎直間隔開的多個堆疊的半導體圖案。

12.一種半導體裝置，包括：

在第一方向上彼此間隔開的第一源極/漏極圖案和第二源極/漏極圖案；

有源圖案，其布置在所述第一源極/漏極圖案和所述第二源極/漏極圖案的相對的側壁之間；

所述有源圖案的底表面上的柵電極；

所述有源圖案的頂表面上的絕緣層；以及

上互連線，其布置在所述絕緣層上，并且電連接至所述第一源極/漏極圖案，

其中，所述第一源極/漏極圖案包括鄰近于所述有源圖案的側表面的第一部分和從所述第一部分延伸至所述絕緣層中的第二部分，并且

所述第一部分在所述第一方向上的最大寬度小于所述第二部分在所述第一方向上的最大寬度。

13.根據權利要求12所述的裝置，其中，所述上互連線在所述第一方向上延伸，并且與所述第一源極/漏極圖案和所述第二源極/漏極圖案中的每一個至少部分地重疊。