[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010434849.5
• 申請(qǐng)日: 2020-05-21
• 公開（公告）號(hào): CN111725134A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陽(yáng)志林;馬國(guó)永;黃霜霜;趙輝;喻玥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1368
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：首先在玻璃基板上沉積第一金屬層；其次對(duì)第一金屬層進(jìn)行刻蝕形成位于像素區(qū)域的柵極和位于外圍區(qū)域的第一金屬端子；最后在柵極和第一金屬端子上沉積柵極絕緣層；

S2：在柵極絕緣層上沉積金屬氧化物材料層，對(duì)金屬氧化物材料層曝光和蝕刻工藝保留位于像素區(qū)域的金屬氧化物材料層和去除位于周邊區(qū)域的金屬氧化物材料層；

S3：在步驟S2的基礎(chǔ)上沉積第一保護(hù)層，然后采用干刻在半導(dǎo)體溝道區(qū)域上形成溝道保護(hù)層，同時(shí)在第一金屬端子上形成第二端子接觸孔；

S4：在步驟S3的基礎(chǔ)上沉積第二金屬層，對(duì)第二金屬層進(jìn)行刻蝕形成分別位于溝道保護(hù)層兩側(cè)的源極和漏極，然后利用離子體對(duì)像素電極所在區(qū)域的金屬氧化物材料層進(jìn)行導(dǎo)體化處理并形成像素電極，金屬氧化物材料層在像素區(qū)域剩余部分為金屬氧化物半導(dǎo)體層；

S5：在步驟S4的基礎(chǔ)上沉積第二保護(hù)層，對(duì)第二保護(hù)層進(jìn)行一次干刻在第二金屬端子上第三端子接觸孔，第三端子接觸孔位于第一金屬端子的上方；

S6：在步驟S5的基礎(chǔ)上沉積透明電極層，對(duì)透明電極層進(jìn)行曝光刻蝕在像素區(qū)域形成獨(dú)立的公共電極和在外圍區(qū)域形成通過第三端子接觸孔與第二金屬端子接觸的透明電極走線。

2.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：首先在玻璃基板上沉積第一金屬層；其次對(duì)第一金屬層進(jìn)行刻蝕形成位于像素區(qū)域的柵極和位于外圍區(qū)域的第一金屬端子；最后在柵極和第一金屬端子上沉積柵極絕緣層；

S2：在柵極絕緣層上依次沉積金屬氧化物材料層和第二保護(hù)層，經(jīng)過涂第一光阻和采用半透半反技術(shù)，在像素區(qū)域內(nèi)刻蝕掉除了位于溝道半導(dǎo)體層所在區(qū)域上的第二保護(hù)層上的部分第一光阻，在外圍區(qū)域的柵極絕緣層上形成第一端子接觸孔；

S3：首先進(jìn)行一次干刻，灰化第一光阻并形成位于溝道半導(dǎo)體層所在區(qū)域上的溝道保護(hù)層；然后對(duì)裸露的溝道保護(hù)層進(jìn)行刻蝕，同時(shí)在外圍區(qū)域的第一端子接觸孔下方的柵極絕緣層刻蝕掉并形成第二端子接觸孔，第二端子接觸孔位于第一金屬端子上；最后剝離掉第一光阻；

S4：首先在步驟S3的基礎(chǔ)上沉積第二金屬層，涂上第二光阻，把位于溝道保護(hù)層上方的第二金屬層上的第二光阻和位于像素電極所在區(qū)域的金屬氧化物材料層上的第二金屬層上的第二光阻去除，同時(shí)去除第二端子接觸孔所在區(qū)域外圍的第二光阻；然后刻蝕掉位于像素電極所在區(qū)域上的第二金屬層，第二金屬層在外圍區(qū)域?yàn)榈诙饘俣俗樱诙饘俣俗油ㄟ^第二端子接觸孔與第一端子金屬接觸；最后利用離子體對(duì)像素電極所在區(qū)域的金屬氧化物材料層進(jìn)行導(dǎo)體化處理并形成像素電極，金屬氧化物材料層在像素區(qū)域剩余部分為金屬氧化物半導(dǎo)體層；

S5：在步驟S4的基礎(chǔ)上沉積第二保護(hù)層，將外圍區(qū)域的第二金屬端子上的第二保護(hù)層通過干法蝕刻掉并形成第三端子接觸孔，在第三端子接觸孔內(nèi)漏出第二金屬端子；

S6：在步驟S5的基礎(chǔ)上沉積透明電極層，對(duì)透明電極層進(jìn)行曝光刻蝕在像素區(qū)域形成獨(dú)立的公共電極和在外圍區(qū)域形成通過第三端子接觸孔與第二金屬端子接觸的透明電極走線。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，步驟S1中，第一金屬層的膜厚為其膜層結(jié)構(gòu)為單層金屬銅或鋁或雙層結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，步驟S2中，第二金屬層的膜厚為其膜層結(jié)構(gòu)為雙層金屬結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，金屬氧化物材料層的膜厚為

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，金屬氧化物材料層的材料為銦鎵鋅氧化物或銦鋅氧化物或摻雜Sn元素的銦鎵鋅氧化物。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，步驟S4中，采用離子體對(duì)裸露的金屬氧化物材料層進(jìn)行低電阻化處理形成像素電極。