[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010434849.5
• 申請日: 2020-05-21
• 公開（公告）號: CN111725134A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陽志林;馬國永;黃霜霜;趙輝;喻玥
• 申請（專利權(quán)）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1368
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法，本發(fā)明提供一種陣列基板的制造方法采用6道光罩步驟形成陣列基板，分別為形成第一金屬層(第1道光罩)、形成半導(dǎo)體有源層和像素電極層(第2道光罩)、形成保護(hù)層(第3道光罩)、形成源極和漏極(第4道光罩)、形成絕緣保護(hù)層(第5道光罩)以及共用電極層(第6到光罩)。本發(fā)明精簡了金屬氧化物陣列基板的制造步驟，提供高遷移率金屬氧化物半導(dǎo)體TFT器件，同時解決了金屬氧化(尤其是源極和漏極的氧化問題)的問題，提升產(chǎn)品品質(zhì)；本發(fā)明在金屬氧化物半導(dǎo)體層分別直接與源極和漏極接觸，較有溝道保護(hù)層的其它設(shè)計接觸面積大，接觸阻抗較低。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于面板顯示的技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法。

背景技術(shù)

近年來，顯示器件不斷在向著大尺寸、窄邊框、低功耗、高分辨率、高刷新率、柔性化方向等發(fā)展，金屬氧化物半導(dǎo)體層與采用銅形成柵極線和數(shù)據(jù)線的技術(shù)顯示面板行業(yè)具有天然的優(yōu)勢。同時，隨著TFT-LCD顯示技術(shù)不斷發(fā)展，降低顯示面板生產(chǎn)成本逐漸成為每個企業(yè)生產(chǎn)的首選課題，液晶顯示面板由陣列基板和彩膜基板通過成盒工藝組立而成，其中的陣列基板是采用多道光罩在不同層別上進(jìn)行定義圖形，每一層圖形制備工藝都包括清洗、成膜、光阻涂覆、掩膜曝光、顯影、刻蝕和剝離這些工序，通過多次循環(huán)這些工序，最終完成陣列基板的制備。為了降低面板生產(chǎn)成本和提升產(chǎn)品良品率，工程技術(shù)人員專注于減少使用光罩次數(shù)。

傳統(tǒng)非晶硅的陣列基板采用FFS顯示技術(shù)，其量產(chǎn)制造工藝使用5道光罩或者6道光罩技術(shù)，對于金屬氧化物而言，由于其工藝穩(wěn)定性較非晶硅復(fù)雜，現(xiàn)有主要量產(chǎn)工藝技術(shù)為9道光罩(溝道蝕刻阻擋型)，也有部分采用8道光罩工藝(背溝道蝕刻型)，也有工程技術(shù)在進(jìn)行7道光罩工藝(背溝道蝕刻型)，但這些減光罩技術(shù)在金屬氧化物TFT器件工藝的制備過程中依然相對繁雜。

以7道光罩作為例子，如圖1和圖2所示，制造步驟為：第一步：采用第1道光罩在基板10上形成柵極20；第二步：形成覆蓋柵極20的柵極絕緣層30；第三步：采用第2道光罩形成位于柵極20上方的半導(dǎo)體有源層40；第四步：采用第3道光罩在外圍區(qū)域形成與柵極10接觸的第一接觸孔；第五步：采用第4道光罩在像素區(qū)域形成分別與半導(dǎo)體有源層40接觸的源極51和漏極52，在外圍區(qū)域形成位于第一接觸孔內(nèi)且與柵極10接觸的源漏連接電極53；第六步：整面鋪設(shè)第一絕緣層60；第七步：采用第5道光罩形成公共電極70；第七步：整面鋪設(shè)第二絕緣層80；第八步，采用第6道光罩形成位于漏極52上的第二接觸孔；第九步：采用第7道光罩形成像素電極90且像素電極90通過第二接觸孔與漏極52接觸。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種高遷移了金屬氧化物半導(dǎo)體TFT器件且解決源漏極氧化問題的陣列基板及其制造方法。

本發(fā)明提供一種陣列基板的制造方法，包括如下步驟：

S1：首先在玻璃基板上沉積第一金屬層；其次對第一金屬層進(jìn)行刻蝕形成位于像素區(qū)域的柵極和位于外圍區(qū)域的第一金屬端子；最后在柵極和第一金屬端子上沉積柵極絕緣層；

S2：在柵極絕緣層上沉積金屬氧化物材料層，對金屬氧化物材料層曝光和蝕刻工藝保留位于像素區(qū)域的金屬氧化物材料層和去除位于周邊區(qū)域的金屬氧化物材料層；

S3：在步驟S2的基礎(chǔ)上沉積第一保護(hù)層，然后采用干刻在半導(dǎo)體溝道區(qū)域上形成溝道保護(hù)層，同時在第一金屬端子上形成第二端子接觸孔；

S4：在步驟S3的基礎(chǔ)上沉積第二金屬層，對第二金屬層進(jìn)行刻蝕形成分別位于溝道保護(hù)層兩側(cè)的源極和漏極，然后利用離子體對像素電極所在區(qū)域的金屬氧化物材料層進(jìn)行導(dǎo)體化處理并形成像素電極，金屬氧化物材料層在像素區(qū)域剩余部分為金屬氧化物半導(dǎo)體層；

S5：在步驟S4的基礎(chǔ)上沉積第二保護(hù)層，對第二保護(hù)層進(jìn)行一次干刻在第二金屬端子上第三端子接觸孔，第三端子接觸孔位于第一金屬端子的上方；