[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲器件及制造該半導(dǎo)體存儲器件的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010434497.3
• 申請日: 2020-05-21
• 公開（公告）號: CN112310080A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋昊柱;金碩炫;金永埈;樸晉亨;李蕙蘭;金奉秀;金成禹
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 弋桂芬

一種制造半導(dǎo)體存儲器件的方法包括：在襯底上形成在第一水平方向上延伸的位線結(jié)構(gòu)以及覆蓋每個(gè)位線結(jié)構(gòu)的相反側(cè)壁的絕緣間隔物結(jié)構(gòu)；形成初始掩埋接觸材料層和模制層以分別填充在一對絕緣間隔物結(jié)構(gòu)之間的空間的下部和上部；將模制層和初始掩埋接觸材料層圖案化為在第一水平方向上彼此間隔開的模制圖案和在第一水平方向上彼此間隔開的掩埋接觸；在彼此分隔的模制圖案之間以及在彼此分隔的掩埋接觸之間形成絕緣圍欄；去除模制圖案以暴露掩埋接觸；以及在暴露的掩埋接觸上形成落著焊盤，每個(gè)落著焊盤連接到暴露的掩埋接觸中的對應(yīng)一個(gè)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思涉及半導(dǎo)體存儲器件及制造該半導(dǎo)體存儲器件的方法，更具體地，涉及包括在接觸結(jié)構(gòu)之間的絕緣圍欄(insulating fence)的半導(dǎo)體存儲器件以及制造該半導(dǎo)體存儲器件的方法。

背景技術(shù)

根據(jù)電子工業(yè)的快速發(fā)展以及用戶需求，電子裝置已經(jīng)變得更緊湊和輕重量。因此，對于電子裝置中使用的半導(dǎo)體存儲器件，需要高的集成度，并且用于半導(dǎo)體存儲器件的配置的設(shè)計(jì)規(guī)則減少。為了確保連接在有源區(qū)和電容器之間的接觸結(jié)構(gòu)的電可靠性，需要高度地按比例縮小的半導(dǎo)體存儲器件。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構(gòu)思提供一種包括具有改善的電可靠性的接觸結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲器件以及該半導(dǎo)體存儲器件的制造方法。

根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施方式，一種制造半導(dǎo)體存儲器件的方法包括：在襯底上形成在第一水平方向上彼此平行地延伸的多個(gè)位線結(jié)構(gòu)以及覆蓋所述多個(gè)位線結(jié)構(gòu)中的每個(gè)的相反側(cè)壁的多個(gè)絕緣間隔物結(jié)構(gòu)；形成初始掩埋接觸材料層和模制層以分別填充所述多個(gè)絕緣間隔物結(jié)構(gòu)中的一對絕緣間隔物結(jié)構(gòu)之間的空間的下部和該空間的上部，所述一對絕緣間隔物結(jié)構(gòu)隔著該空間彼此面對；將模制層和初始掩埋接觸材料層分別圖案化為在第一水平方向上彼此間隔開的多個(gè)模制圖案和在第一水平方向上彼此間隔開的多個(gè)掩埋接觸；在彼此分隔的所述多個(gè)模制圖案之間以及在彼此分隔的所述多個(gè)掩埋接觸之間形成多個(gè)絕緣圍欄；去除所述多個(gè)模制圖案以暴露所述多個(gè)掩埋接觸；以及在暴露的所述多個(gè)掩埋接觸上形成多個(gè)落著焊盤，所述多個(gè)落著焊盤中的每個(gè)連接到暴露的所述多個(gè)掩埋接觸中的對應(yīng)一個(gè)。

根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施方式，一種制造半導(dǎo)體存儲器件的方法包括：在襯底上形成多個(gè)位線結(jié)構(gòu)、多個(gè)第一絕緣間隔物結(jié)構(gòu)以及多個(gè)第二絕緣間隔物結(jié)構(gòu)，每個(gè)第一絕緣間隔物結(jié)構(gòu)覆蓋所述多個(gè)位線結(jié)構(gòu)中的對應(yīng)一個(gè)的第一側(cè)壁，每個(gè)第二絕緣間隔物結(jié)構(gòu)覆蓋所述多個(gè)位線結(jié)構(gòu)中的所述對應(yīng)一個(gè)的與該第一側(cè)壁相反的第二側(cè)壁的多個(gè)第二絕緣間隔物結(jié)構(gòu)；在襯底上形成初始掩埋接觸材料層和模制層，其中初始掩埋接觸材料層和模制層形成在所述多個(gè)第一絕緣間隔物結(jié)構(gòu)中的一個(gè)第一絕緣間隔物結(jié)構(gòu)和所述多個(gè)第二絕緣間隔物結(jié)構(gòu)中的在第一水平方向上與所述多個(gè)第一絕緣間隔物結(jié)構(gòu)中的所述一個(gè)第一絕緣間隔物結(jié)構(gòu)相鄰的一個(gè)第二絕緣間隔物結(jié)構(gòu)之間的第一空間中，其中初始掩埋接觸材料層填充第一空間的下部并且模制層填充第一空間的上部；以及將模制層和初始掩埋接觸材料層圖案化為在不同于第一水平方向的第二水平方向上彼此間隔開的多個(gè)模制圖案以及在第二水平方向上彼此間隔開的多個(gè)掩埋接觸；在所述多個(gè)掩埋接觸和所述多個(gè)模制圖案之間形成多個(gè)絕緣圍欄，所述多個(gè)絕緣圍欄中的第一絕緣圍欄具有下部和上部，第一絕緣圍欄的下部設(shè)置在所述多個(gè)掩埋接觸當(dāng)中的在第二水平方向上彼此間隔開的一對掩埋接觸之間并在第二水平方向上具有第一寬度，第一絕緣圍欄的上部設(shè)置在所述多個(gè)模制圖案當(dāng)中的在第二水平方向上彼此間隔開的一對模制圖案之間并在第二水平方向上具有不同于第一寬度的第二寬度。