[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲器件及制造該半導(dǎo)體存儲器件的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010434497.3
• 申請日: 2020-05-21
• 公開（公告）號: CN112310080A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋昊柱;金碩炫;金永埈;樸晉亨;李蕙蘭;金奉秀;金成禹
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 弋桂芬

1.一種制造半導(dǎo)體存儲器件的方法，所述方法包括：

在襯底上形成在第一水平方向上彼此平行地延伸的多個位線結(jié)構(gòu)以及覆蓋所述多個位線結(jié)構(gòu)中的每個的相反側(cè)壁的多個絕緣間隔物結(jié)構(gòu)；

形成初始掩埋接觸材料層和模制層以分別填充所述多個絕緣間隔物結(jié)構(gòu)中的一對絕緣間隔物結(jié)構(gòu)之間的空間的下部以及所述空間的上部，所述一對絕緣間隔物結(jié)構(gòu)隔著所述空間彼此面對；

將所述模制層和所述初始掩埋接觸材料層分別圖案化為在所述第一水平方向上彼此間隔開的多個模制圖案和在所述第一水平方向上彼此間隔開的多個掩埋接觸；

在彼此分隔的所述多個模制圖案之間以及在彼此分隔的所述多個掩埋接觸之間形成多個絕緣圍欄；

去除所述多個模制圖案以暴露所述多個掩埋接觸；以及

在暴露的所述多個掩埋接觸上形成多個落著焊盤，所述多個落著焊盤中的每個連接到暴露的所述多個掩埋接觸中的對應(yīng)一個。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在所述初始掩埋接觸材料層在所述空間的所述下部中的所述形成之后并且在所述模制層在所述空間的所述上部中的所述形成之前，去除所述多個絕緣間隔物結(jié)構(gòu)的在所述初始掩埋接觸材料層的頂表面之上的上部。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中

所述多個位線結(jié)構(gòu)中的每個包括位線和覆蓋所述位線的絕緣蓋線，以及

所述多個絕緣間隔物結(jié)構(gòu)的所述上部的所述去除暴露所述多個位線結(jié)構(gòu)中的每個的所述絕緣蓋線的上部，

所述方法還包括：

在所述多個絕緣間隔物結(jié)構(gòu)的所述上部的所述去除之后并且在所述模制層的所述形成之前，形成擴(kuò)展蓋層，所述擴(kuò)展蓋層覆蓋所述絕緣蓋線的暴露的上部并朝向所述初始掩埋接觸材料層的所述頂表面突出。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中

所述多個落著焊盤中的每個形成為覆蓋所述擴(kuò)展蓋層的至少一部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中

所述多個模制圖案的所述去除形成多個空間，以及

所述多個落著焊盤中的每個形成為填充所述多個空間中的對應(yīng)一個，并延伸到所述多個位線結(jié)構(gòu)中的對應(yīng)一個。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中

所述多個絕緣圍欄中的每個形成為具有上部和下部，所述上部在所述第一水平方向上具有第一寬度，所述下部在所述第一水平方向上具有與所述第一寬度不同的第二寬度，

所述多個絕緣圍欄中的每個的所述上部設(shè)置在所述多個落著焊盤中的兩個相鄰的落著焊盤之間，以及

所述多個絕緣圍欄中的每個的所述下部設(shè)置在所述多個掩埋接觸中的兩個相鄰的掩埋接觸之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中

所述多個絕緣圍欄中的每個形成為具有上部和下部，所述上部在所述第一水平方向上具有第一寬度，所述下部在所述第一水平方向上具有小于所述第一寬度的第二寬度，

所述多個絕緣圍欄中的每個的所述上部設(shè)置在所述多個落著焊盤中的兩個相鄰的落著焊盤之間，以及

所述多個絕緣圍欄中的每個的所述下部設(shè)置在所述多個掩埋接觸中的兩個相鄰的掩埋接觸之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中

所述多個絕緣圍欄中的每個形成為具有上部和下部，所述上部在所述第一水平方向上具有第一寬度，所述下部在所述第一水平方向上具有大于所述第一寬度的第二寬度，

所述多個絕緣圍欄中的每個的所述上部設(shè)置在所述多個落著焊盤中的兩個相鄰的落著焊盤之間，以及

所述多個絕緣圍欄中的每個的所述下部設(shè)置在所述多個掩埋接觸中的兩個相鄰的掩埋接觸之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中

所述多個絕緣圍欄中的每個形成為在其下部內(nèi)包括氣隙，并且所述氣隙設(shè)置在所述多個掩埋接觸中的兩個相鄰的掩埋接觸之間。