[發明專利]存儲器制作方法及存儲器

有效

• 申請號: 202010434153.2
• 申請日: 2020-05-21
• 公開（公告）號: CN111584496B
• 公開（公告）日: 2021-04-27
• 發明（設計）人: 姚蘭
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11568
• 分類號: H01L27/11568;H01L27/11582
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 李洋;張穎玲

本公開實施例公開了一種存儲器制作方法及存儲器，方法包括：形成貫穿第一堆疊結構的第一通孔和第二通孔；第一堆疊結構包括并列設置的核心區和臺階區，第一通孔貫穿核心區，第二通孔貫穿臺階區，第一通孔頂部開口口徑小于第二通孔頂部開口口徑；在第一通孔及第二通孔中沉積第一材料，以在第一通孔中形成犧牲柱；利用預設反應物與第二通孔中第一材料發生化學反應，以在第二通孔中形成絕緣的支撐柱；在包括犧牲柱和支撐柱的第一堆疊結構表面形成第二堆疊結構；形成貫穿第二堆疊結構的第三通孔，直至顯露犧牲柱；形成貫穿第二堆疊結構的第四通孔，直至顯露支撐柱；利用刻蝕劑去除通過第三通孔顯露的犧牲柱；刻蝕劑與支撐柱之間的化學反應為惰性反應。

技術領域

本公開實施例涉及集成電路領域，特別涉及一種存儲器制作方法及存儲器。

背景技術

隨著對于存儲器存儲密度的需求越來越大，開發出了三維結構的存儲器，其包括柵疊層結構以及垂直貫穿柵疊層結構的溝道柱。溝道柱可在通過去除堆疊結構中的柵犧牲層、以形成控制柵極的過程中起到支撐作用。此外，溝道柱還用于進行信息存儲。

為了進一步提高存儲密度，用于形成柵疊層結構的堆疊結構的層數逐漸增加，且溝道柱的尺寸逐漸減小。在形成控制柵極的過程中，溝道柱的支撐作用逐漸減弱。相關技術中，可通過形成填充虛擬溝道孔(Dummy Channel Hole)的虛擬溝道柱，來提高去除柵犧牲層過程中對于堆疊結構的支撐作用。此處，虛擬溝道柱與溝道柱的組成結構相同，但是虛擬溝道柱僅起到支撐作用，而不進行信息存儲。

此外，對于層數較高的堆疊結構，可采用先后制作多個層數較少的子堆疊結構、并在先后制作的子堆疊結構中形成對準的子溝道柱以及對準的子虛擬溝道柱的方式來形成存儲器。但這種方式形成的存儲器中會出現短路等情況，使得存儲器失效。

發明內容

有鑒于此，本公開實施例提供一種存儲制作方法及存儲器。

根據本公開實施例的第一方面，提供一種存儲器的制作方法，包括：

形成貫穿第一堆疊結構的第一通孔和第二通孔；其中，所述第一堆疊結構包括并列設置的核心區和臺階區，所述第一通孔貫穿所述核心區，所述第二通孔貫穿所述臺階區，所述第一通孔的頂部開口口徑小于所述第二通孔的頂部開口口徑；

在所述第一通孔及所述第二通孔中沉積第一材料，以在所述第一通孔中形成犧牲柱；

利用預設反應物與所述第二通孔中第一材料發生化學反應，以在所述第二通孔中形成支撐柱；

在包括所述犧牲柱和所述支撐柱的所述第一堆疊結構表面形成第二堆疊結構；

形成貫穿所述第二堆疊結構的第三通孔，直至顯露所述犧牲柱；并形成貫穿所述第二堆疊結構的第四通孔，直至顯露所述支撐柱；

利用刻蝕劑去除通過所述第三通孔顯露的所述犧牲柱；其中，所述刻蝕劑與所述支撐柱之間的化學反應為惰性反應。

在一些實施例中，所述方法還包括：

在形成所述犧牲柱后，去除覆蓋所述第二通孔的部分第一材料，以在所述第二通孔中的第一材料中形成凹槽；其中，所述凹槽用于增加所述預設反應物與所述第二通孔中第一材料的接觸面積。

在一些實施例中，所述方法還包括：

在所述第一通孔中及所述第二通孔中沉積所述第一材料的同時，在所述第一堆疊結構表面沉積所述第一材料；

在所述第二通孔中形成所述支撐柱的同時，利用所述預設反應物與所述第一堆疊結構表面的第一材料發生所述化學反應，以在所述第一堆疊結構表面形成阻擋層；

其中，所述阻擋層的組成材料與所述支撐柱的組成材料相同，覆蓋所述犧牲柱的所述阻擋層用于阻擋所述預設反應物與所述犧牲柱發生所述化學反應。