[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器制作方法及存儲(chǔ)器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010434153.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-05-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111584496B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-04-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 姚蘭 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/11568 | 分類號(hào): | H01L27/11568;H01L27/11582 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270 | 代理人: | 李洋;張穎玲 |
| 地址: | 430074 湖北省武*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 存儲(chǔ)器 制作方法 | ||
1.一種存儲(chǔ)器制作方法,其特征在于,包括:
形成貫穿第一堆疊結(jié)構(gòu)的第一通孔和第二通孔;其中,所述第一堆疊結(jié)構(gòu)包括并列設(shè)置的核心區(qū)和臺(tái)階區(qū),所述第一通孔貫穿所述核心區(qū),所述第二通孔貫穿所述臺(tái)階區(qū),所述第一通孔的頂部開(kāi)口口徑小于所述第二通孔的頂部開(kāi)口口徑;
在所述第一通孔及所述第二通孔中沉積第一材料,以在所述第一通孔中形成犧牲柱;
利用預(yù)設(shè)反應(yīng)物與所述第二通孔中第一材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng),以在所述第二通孔中形成絕緣的支撐柱;
在包括所述犧牲柱和所述支撐柱的所述第一堆疊結(jié)構(gòu)表面形成第二堆疊結(jié)構(gòu);
形成貫穿所述第二堆疊結(jié)構(gòu)的第三通孔,直至顯露所述犧牲柱;并形成貫穿所述第二堆疊結(jié)構(gòu)的第四通孔,直至顯露所述支撐柱;
利用刻蝕劑去除通過(guò)所述第三通孔顯露的所述犧牲柱;其中,所述刻蝕劑與所述支撐柱之間的化學(xué)反應(yīng)為惰性反應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
在形成所述犧牲柱后,去除覆蓋所述第二通孔的部分第一材料,以在所述第二通孔中的第一材料中形成凹槽;其中,所述凹槽用于增加所述預(yù)設(shè)反應(yīng)物與所述第二通孔中第一材料的接觸面積。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
在所述第一通孔中及所述第二通孔中沉積所述第一材料的同時(shí),在所述第一堆疊結(jié)構(gòu)表面沉積所述第一材料;
在所述第二通孔中形成所述支撐柱的同時(shí),利用所述預(yù)設(shè)反應(yīng)物與所述第一堆疊結(jié)構(gòu)表面的第一材料發(fā)生所述化學(xué)反應(yīng),以在所述第一堆疊結(jié)構(gòu)表面形成阻擋層;
其中,所述阻擋層的組成材料與所述支撐柱的組成材料相同,覆蓋所述犧牲柱的所述阻擋層用于阻擋所述預(yù)設(shè)反應(yīng)物與所述犧牲柱發(fā)生所述化學(xué)反應(yīng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
在形成所述支撐柱后,去除所述阻擋層,直至顯露所述犧牲柱。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
在去除所述犧牲柱后,基于所述第一通孔的形貌形成第一溝道柱,基于所述第三通孔的形貌形成第二溝道柱,基于所述第四通孔的形貌形成第三溝道柱。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,
所述犧牲柱的組成材料包括:硅;
所述支撐柱的組成材料包括:氧化硅;
所述刻蝕劑包括:四甲基氫氧化氨TMAH。
7.一種存儲(chǔ)器,其特征在于,包括:
堆疊設(shè)置的第一柵疊層結(jié)構(gòu)和第二柵疊層結(jié)構(gòu);所述第一柵疊層結(jié)構(gòu)包括:并列設(shè)置的核心區(qū)和臺(tái)階區(qū);
絕緣的支撐柱,貫穿所述第一柵疊層結(jié)構(gòu)的臺(tái)階區(qū);
溝道結(jié)構(gòu),包括:
第一溝道柱,貫穿所述第一柵疊層結(jié)構(gòu)的核心區(qū),位于去除了犧牲柱后形成的通孔中;其中,去除所述犧牲柱的刻蝕劑與所述支撐柱之間的化學(xué)反應(yīng)為惰性反應(yīng);
第二溝道柱,貫穿所述第二柵疊層結(jié)構(gòu),并與所述第一溝道柱連接;
第三溝道柱,貫穿所述第二柵疊層結(jié)構(gòu),并與所述支撐柱連接;其中,所述支撐柱的組成結(jié)構(gòu)與所述溝道結(jié)構(gòu)的組成結(jié)構(gòu)不同。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器,其特征在于,
所述第一溝道柱的頂部尺寸,小于所述支撐柱的頂部尺寸。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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