[發明專利]功率放大電路

在審

• 申請號: 202010433189.9
• 申請日: 2020-05-20
• 公開（公告）號: CN112003605A
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發明（設計）人: 本多悠里;播磨史生;戶谷光廣
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 劉慧群

本發明提供一種抑制了輸出信號的時間響應的功率放大器。功率放大電路具備：第1晶體管，在基極輸入第1信號，對所述第1信號進行放大，從集電極輸出第2信號；和偏置電路，向第1晶體管的基極供給偏置電流，偏置電路包含：第2晶體管，向第1晶體管的基極供給偏置電流；第3晶體管，基極與第2晶體管的基極連接，集電極與第2晶體管的集電極連接；和第4晶體管，基極與第3晶體管的發射極連接，集電極與第2晶體管的發射極連接，抽出偏置電流的至少一部分。

技術領域

本發明涉及功率放大電路。

背景技術

在便攜式電話等移動體通信設備中，為了放大向基站發送的無線頻率(RF：RadioFrequency，射頻)信號的功率而使用功率放大電路。在功率放大電路中，作為放大元件，使用異質結雙極晶體管(HBT：Heterojunction Bipolar Transistor)等雙極晶體管。

在雙極晶體管中，已知若使基極-發射極間電壓恒定地進行驅動，則伴隨著溫度上升而集電極電流逐漸增加。若由于集電極電流的增加而消耗功率增加，則元件的溫度上升，由此，可能產生集電極電流進一步增加這樣的正反饋(熱失控)。因而，在功率放大電路使用雙極晶體管的情況下，要求抑制雙極晶體管的熱失控。例如，在專利文獻1中公開了如下的功率放大電路，即，具備：功率放大器，包含雙極晶體管；和偏置電路，向雙極晶體管的基極供給偏置電流。偏置電路包含：發射極跟隨晶體管，向雙極晶體管的基極供給偏置電流；和由二極管構成的偏置電壓供給電路，向該發射極跟隨晶體管的基極供給偏置電壓。包含于偏置電壓電路的二極管和雙極晶體管熱耦合。由此，雙極晶體管中的溫度分布的均勻性提高。

在先技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2017-112588號公報

在功率放大器(雙極晶體管)的輸出功率的時間響應波形中，伴隨著向作為偏置電路的一部分的發射極跟隨晶體管的基極輸入的電流的上升，功率放大器(雙極晶體管)發熱，溫度開始上升。如上所述，包含于偏置電路的二極管與功率放大器(雙極晶體管)熱耦合，因此二極管的溫度也同樣地逐漸上升。此時，流過二極管的電流也隨著溫度上升而緩慢地逐漸增加。由此，發射極跟隨晶體管的基極電流隨著時間而減少，雙極晶體管的基極電流也隨著時間而緩慢地減少。

在此，如果雙極晶體管的電流放大率固定，則集電極電流也隨著時間而緩慢地減少。然而，雙極晶體管的電流放大率根據溫度而劣化。因而，集電極電流與基極電流相比較，急劇地減少。功率放大器的增益與集電極電流成比例。因而，從功率放大器的輸出端子獲得的輸出信號的功率也會隨著時間而急劇地減少。

發明內容

發明要解決的課題

本發明是鑒于這樣的情況而作的，其目的在于，提供一種抑制了輸出信號的時間響應的功率放大器。

用于解決課題的手段

本發明的一個方式涉及的功率放大電路具備：第1晶體管，在基極輸入第1信號，對所述第1信號進行放大，從集電極輸出第2信號；和偏置電路，向第1晶體管的基極供給偏置電流，偏置電路包含：第2晶體管，向第1晶體管的基極供給偏置電流；第3晶體管，基極與第2晶體管的基極連接，集電極與第2晶體管的集電極連接；和第4晶體管，基極與第3晶體管的發射極連接，集電極與第2晶體管的發射極連接，抽出偏置電流的至少一部分。

發明效果

根據本發明，能夠抑制功率放大器的輸出信號的時間響應。

附圖說明

圖1是示出本發明的第1實施方式涉及的功率放大電路100A的結構的圖。

圖2A是示出功率放大電路100A的布局的一例的圖。

圖2B是示出功率放大電路100A的布局的另一例的圖。