[發(fā)明專利]功率放大電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010433189.9 | 申請日： | 2020-05-20 |
| 公開（公告）號： | CN112003605A | 公開（公告）日： | 2020-11-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 本多悠里;播磨史生;戶谷光廣 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號： | H03K19/0185 | 分類號： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 劉慧群 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 功率 放大 電路 | ||
1.一種功率放大電路，具備：
第1晶體管，在基極輸入第1信號，對所述第1信號進(jìn)行放大，從集電極輸出第2信號；和
偏置電路，向所述第1晶體管的基極供給偏置電流，
所述偏置電路包含：
第2晶體管，向所述第1晶體管的基極供給偏置電流；
第3晶體管，基極與所述第2晶體管的基極連接，集電極與所述第2晶體管的集電極連接；和
第4晶體管，基極與所述第3晶體管的發(fā)射極連接，集電極與所述第2晶體管的發(fā)射極連接，抽出所述偏置電流的至少一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率放大電路，其中，
所述第4晶體管與所述第1晶體管熱耦合。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率放大電路，其中，
所述第4晶體管與形成有所述第1晶體管的矩形區(qū)域相鄰地配置。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率放大電路，其中，
所述第4晶體管配置在形成有所述第1晶體管的矩形區(qū)域的內(nèi)部。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項所述的功率放大電路，其中，
所述偏置電路還包含：第5晶體管，基極以及集電極與所述第3晶體管的發(fā)射極連接，發(fā)射極被接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的功率放大電路，其中，
所述第5晶體管與所述第1晶體管熱耦合。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率放大電路，其中，
所述第5晶體管與形成有所述第1晶體管的矩形區(qū)域相鄰地配置。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率放大電路，其中，
所述第5晶體管配置在形成有所述第1晶體管的矩形區(qū)域的內(nèi)部。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的功率放大電路，其中，
所述偏置電路還包含：電阻器，一端與所述第2晶體管的發(fā)射極連接，另一端與所述第4晶體管的集電極連接。
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