[發明專利]一種高散熱半導體封裝工藝

在審

• 申請號: 202010432881.X
• 申請日: 2020-05-21
• 公開（公告）號: CN111640681A
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 王琇如
• 申請（專利權）人: 杰群電子科技（東莞）有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31;H01L23/373
• 代理公司: 北京權智天下知識產權代理事務所(普通合伙) 11638
• 代理人: 王新愛

本發明公開一種高散熱半導體封裝工藝及產品及電子產品，所述高散熱半導體封裝工藝包括以下步驟：S1、上芯，提供基板并在所述基板上設置芯片，電連接所述芯片與所述基板；S2、提供封裝材料，提供包括絕緣層以及散熱層的絕緣散熱封裝材料；S3、封裝，采用上述絕緣散熱材料對設置在基板上的芯片進行封裝。本方案中通過采用具有絕緣層以及散熱層的絕緣散熱封裝材料對半導體進行封裝，依靠散熱層的優良散熱性能可以提高半導體產品的散熱效果，通過設置絕緣層可以避免散熱層進入到芯片與基板之間造成短路。

技術領域

本發明涉及半導體封裝技術領域，尤其涉及一種高散熱半導體封裝工藝。

背景技術

半導體是一種導電能力介于導體與非導體之間的材料，半導體元件根據半導體材料的特性，屬于固態元件，其體積可以縮小到很小的尺寸，因此耗電量少，集成度高，在電子技術領域獲得了廣泛的引用，而隨著半導體元件運行功率的逐漸增加，散熱性能成為半導體元件的重要指標之一，在這樣的高熱量工作環境下，保持半導體元件的工作可靠性是一個非常重要的問題。

發明內容

本發明實施例的目的在于：提供一種高散熱半導體封裝工藝，其能夠解決現有技術中存在的上述問題。

為達上述目的，本發明采用以下技術方案：

一方面，提供一種高散熱半導體封裝工藝，包括以下步驟：

S1、上芯，提供基板并在所述基板上設置芯片，電連接所述芯片與所述基板；

S2、提供封裝材料，提供包括絕緣層以及散熱層的絕緣散熱封裝材料；

S3、封裝，采用上述絕緣散熱材料對設置在基板上的芯片進行封裝。

作為所述的高散熱半導體封裝工藝的一種優選的技術方案，所述絕緣層為絕緣膠材料或絕緣散熱材料，所述散熱層為石墨烯散熱層。

作為所述的高散熱半導體封裝工藝的一種優選的技術方案，所述絕緣散熱封裝材料為將所述散熱層與所述絕緣層層壓制成。

作為所述的高散熱半導體封裝工藝的一種優選的技術方案，所述基板為PCB，所述芯片采用倒裝的方式設置在所述基板上，所述芯片與所述PCB上的電路之間通過錫球電連接。

作為所述的高散熱半導體封裝工藝的一種優選的技術方案，所述封裝采用層壓的方式進行。

作為所述的高散熱半導體封裝工藝的一種優選的技術方案，所述絕緣膠延伸至所述芯片與所述PCB之間的空間中，并包覆所述錫球。

作為所述的高散熱半導體封裝工藝的一種優選的技術方案，在所述封裝之前還包括步驟電漿清洗。

作為所述的高散熱半導體封裝工藝的一種優選的技術方案，于所述封裝之后還包括固化，所述固化時長為1-3小時。

另一方面，提供給一種半導體產品，采用如上所述的高散熱半導體封裝工藝進行封裝。

再一方面，提供一種電子產品，其具有采用如上所述的高散熱半導體封裝工藝加工而成的半導體產品。

本發明的有益效果為：本方案中通過采用具有絕緣層以及散熱層的絕緣散熱封裝材料對半導體進行封裝，依靠散熱層的優良散熱性能可以提高半導體產品的散熱效果，通過設置絕緣層可以避免散熱層進入到芯片與基板之間造成短路。

附圖說明

下面根據附圖和實施例對本發明作進一步詳細說明。

圖1為本發明實施例所述高散熱半導體封裝工藝流程圖。

圖2為本發明實施例所述高散熱半導體產品結構示意圖。

圖3為本發明實施例所述絕緣散熱封裝材料結構示意圖。

圖中：