[發明專利]一種高散熱半導體封裝工藝

在審

• 申請號: 202010432881.X
• 申請日: 2020-05-21
• 公開（公告）號: CN111640681A
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 王琇如
• 申請（專利權）人: 杰群電子科技（東莞）有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31;H01L23/373
• 代理公司: 北京權智天下知識產權代理事務所(普通合伙) 11638
• 代理人: 王新愛

1.一種高散熱半導體封裝工藝，其特征在于，包括以下步驟：

S1、上芯，提供基板并在所述基板上設置芯片(200)，電連接所述芯片(200)與所述基板；

S2、提供封裝材料，提供包括絕緣層(310)以及散熱層的絕緣散熱封裝材料(300)；

S3、封裝，采用上述絕緣散熱材料對設置在基板上的芯片(200)進行封裝。

2.根據權利要求1所述的高散熱半導體封裝工藝，其特征在于，所述絕緣層(310)為絕緣膠材料或絕緣散熱材料，所述散熱層為石墨烯散熱層(320)。

3.根據權利要求1或2所述的高散熱半導體封裝工藝，其特征在于，所述絕緣散熱封裝材料(300)為將所述散熱層與所述絕緣層(310)層壓制成。

4.根據權利要求3所述的高散熱半導體封裝工藝，其特征在于，所述基板為PCB(100)，所述芯片(200)采用倒裝的方式設置在所述基板上，所述芯片(200)與所述PCB(100)上的電路之間通過錫球(400)電連接。

5.根據權利要求1或2或3或4所述的高散熱半導體封裝工藝，其特征在于，所述封裝采用層壓的方式進行。

6.根據權利要求4所述的高散熱半導體封裝工藝，其特征在于，所述絕緣膠延伸至所述芯片(200)與所述PCB(100)之間的空間中，并包覆所述錫球(400)。

7.根據權利要求6所述的高散熱半導體封裝工藝，其特征在于，在所述封裝之前還包括步驟電漿清洗。

8.根據權利要求7所述的高散熱半導體封裝工藝，其特征在于，于所述封裝之后還包括固化，所述固化時長為1-3小時。

9.一種半導體產品，其特征在于，采用權利要求1-8中任一項所述的高散熱半導體封裝工藝進行封裝。

10.一種電子產品，其特征在于，具有采用權利要求1-8中任一項所述的高散熱半導體封裝工藝加工而成的半導體產品。