[發(fā)明專(zhuān)利]一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其加工工藝及電子產(chǎn)品

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010432876.9
• 申請(qǐng)日: 2020-05-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111640718A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王琇如
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 杰群電子科技（東莞）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/488
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/488;H01L23/49;H01L21/60
• 代理公司: 北京權(quán)智天下知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11638
• 代理人: 王新愛(ài)

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括芯片、相互獨(dú)立的芯片支架(100)以及引腳(200)，所述芯片(400)設(shè)置在所述芯片支架(100)與所述引腳(200)之間，所述芯片(400)上的焊盤(pán)直接與所述引腳(200)電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片(400)包括芯片正面以及芯片背面，所述芯片正面朝上的設(shè)置在所述芯片支架(100)上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述引腳(200)具有第一彎折部(210)以及第二彎折部(230)，所述第一彎折部(210)與所述第二彎折部(230)相互平行，所述第一彎折部(210)與所述芯片正面焊接連接，所述第二彎折部(230)與所述芯片支架(100)平齊。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一彎折部(210)與所述第二彎折部(230)通過(guò)中間連接部(220)連接，所述第一彎折部(210)、所述中間連接部(220)以及所述第二彎折部(230)為一體結(jié)構(gòu)。

5.一種半導(dǎo)體加工工藝，其特征在于，包括以下步驟：

S1、提供引線框架，所述引線框架包括相互獨(dú)立的芯片支架(100)以及引腳(200)；

S2、鍍錫(300)，分別在所述芯片支架(100)以及所述引腳(200)上鍍錫(300)；

S3、貼片，將芯片貼裝在所述芯片支架(100)上；

S4、引腳(200)焊接，將引腳(200)焊接在芯片正面。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體加工工藝，其特征在于，步驟S2鍍錫(300)包括：

S21、第一次鍍錫(300)，在芯片支架(100)上進(jìn)行鍍錫(300)；

S22、第二次鍍錫(300)，在引腳(200)上進(jìn)行鍍錫(300)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體加工工藝，其特征在于，步驟S3貼片采用貼片機(jī)進(jìn)行，所述貼片機(jī)采用熱貼片機(jī)，所述熱貼片機(jī)的芯片焊接部加熱到200至500℃對(duì)芯片進(jìn)行貼片鍵合。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體加工工藝，其特征在于，步驟S3貼片采用貼片機(jī)進(jìn)行，所述貼片機(jī)為芯片抓取裝置，所述貼片過(guò)程中，在所述芯片支架(100)的底部對(duì)應(yīng)所述芯片的位置進(jìn)行加熱，使鍍錫(300)的溫度達(dá)到200至500℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體加工工藝，其特征在于，于所述鍍錫(300)之前還包括表面處理，對(duì)所述引線支架以及所述引腳(200)分別進(jìn)行去氧化處理。

10.一種電子產(chǎn)品，其特征在于，具有權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。