[發明專利]一種光罩結構

在審

• 申請號: 202010432698.X
• 申請日: 2020-05-20
• 公開（公告）號: CN111552148A
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發明（設計）人: 莫超德
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G03F1/68
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 刁文魁

1.一種光罩結構，其特征在于，包括透明基板，以及設置在所述透明基板上的光罩圖案；

所述光罩圖案至少包括：

陣列分布的第一納米材料圖案，各所述第一納米材料圖案之間電性連接；

透明絕緣層，至少覆蓋所述第一納米材料圖案和所述電性連接處；

陣列分布的第二納米材料圖案，各所述第二納米材料圖案之間電性連接；所述第二納米材料圖案設置于所述透明絕緣層上；

所述第一納米材料圖案與所述第二納米材料圖案錯位分布；

其中，所述第一納米材料圖案和/或所述第二納米材料圖案通過施加電壓，可實現透光和遮光的光罩作用。

2.根據權利要求1所述的光罩結構，其特征在于，所述透明基板為石英玻璃。

3.根據權利要求1所述的光罩結構，其特征在于，所述第一納米材料圖案和所述第二納米材料圖案的材料為銀納米顆?；蜚y納米線的一種或兩種的組合。

4.根據權利要求1所述的光罩結構，其特征在于，所述第一納米材料圖案之間、所述第二納米材料圖案之間分別通過導線實現電性連接，所述導線分別引出，并經匯聚后布置于所述光罩結構邊緣區域。

5.根據權利要求4所述的光罩結構，其特征在于，所述導線均采用透明金屬材料，所述透明金屬材料選擇為ITO、石墨烯、導電有機高分子材料的一種或兩種以上的組合。

6.根據權利要求1所述的光罩結構，其特征在于，所述透明絕緣層的材料為氧化硅(SiO)、氮化硅(SiN)、氧化鋁(AI2O3)的一種或兩種以上的組合。

7.根據權利要求1所述的光罩結構，其特征在于，所述光罩圖案包括用于在彩膜基板上形成黑矩陣的第一納米材料圖案陣列、用于形成第一色阻層的第二納米材料圖案陣列、用于形成第二色阻層的第三納米材料圖案陣列、用于形成第三色阻層的第四納米材料圖案陣列；所述第一納米材料圖案陣列、所述第二納米材料圖案陣列、所述第三納米材料圖案陣列以及所述第四納米材料圖案陣列分別獨立或組合實現光罩功能。

8.根據權利要求7所述的光罩結構，其特征在于，所述第一納米材料圖案陣列為目字形、口字形或田字形的框形結構，所述第二納米材料圖案陣列、所述第三納米材料圖案陣列、所述第四納米材料圖案陣列配合所述透明絕緣層層疊設置，且分別對應位于所述框形結構的投影中。

9.根據權利要求7所述的光罩結構，其特征在于，所述第二納米材料圖案陣列、所述第三納米材料圖案陣列、所述第四納米材料圖案陣列分別與所述第一納米材料圖案陣列在水平方向上設置有間隔。

10.根據權利要求7所述的光罩結構，其特征在于，所述第二納米材料圖案陣列、所述第三納米材料圖案陣列、所述第四納米材料圖案陣列為條形矩陣、帶形矩陣或島形矩陣的一種或混合形式。