[發(fā)明專利]一種具有腫瘤靶向的NiPS3

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010432599.1
• 申請(qǐng)日: 2020-05-20
• 公開（公告）號(hào): CN112057615A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張家宜;吳宗澤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳瀚光科技有限公司
• 主分類號(hào): A61K41/00
• 分類號(hào): A61K41/00;A61K47/54;A61K47/69;A61P35/00;B82Y5/00;B82Y40/00;C30B7/12;C30B29/46;C30B29/64
• 代理公司: 廣州專才專利代理事務(wù)所(普通合伙) 44679
• 代理人: 曾嘉儀

1.一種具有腫瘤靶向的NiPS₃納米藥物，其特征在于，包括二維NiPS₃納米片，以及包覆在所述二維NiPS₃納米片表面的三苯基磷。

2.如權(quán)利要求1所述的具有腫瘤靶向的NiPS₃納米藥物，其特征在于，所述二維NiPS₃納米片的長(zhǎng)寬尺寸為10～500nm，所述二維NiPS₃納米片的厚度為1～50nm。

3.如權(quán)利要求2所述的具有腫瘤靶向的NiPS₃納米藥物，其特征在于，所述二維NiPS₃納米片的長(zhǎng)寬尺寸為50～150nm，所述二維NiPS₃納米片的厚度為1～35nm。

4.如權(quán)利要求3所述的具有腫瘤靶向的NiPS₃納米藥物，其特征在于，所述二維NiPS₃納米片的長(zhǎng)寬尺寸為70～100nm，所述二維NiPS₃納米片的厚度為15～25nm。

5.一種具有腫瘤靶向的NiPS₃納米藥物的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供二維NiPS₃納米片并與三苯基磷混溶于無(wú)水乙醇，經(jīng)超聲、離心后，收集下層液體，再向下層液體中添加三苯基磷的無(wú)水乙醇溶液，超聲制得具有腫瘤靶向的NiPS₃納米藥物。

6.如權(quán)利要求5所述的具有腫瘤靶向的NiPS₃納米藥物的制備方法，其特征在于，所述二維NiPS₃納米片的質(zhì)量與三苯基磷的質(zhì)量之比為1:1；

超聲時(shí)間為1～10h，離心轉(zhuǎn)速為10000～15000r/min，離心時(shí)間為5～20min。

7.如權(quán)利要求5所述的具有腫瘤靶向的NiPS₃納米藥物的制備方法，其特征在于，所述二維NiPS₃納米片采用電化學(xué)剝離的方法制備；

所述電化學(xué)剝離的方法為：提供NiPS₃晶體作為工作電極，鉑電極作為對(duì)電極，四氟硼酸四丁銨的DMF溶液為電解液，所述工作電極與對(duì)電極的距離為1～5cm，所述工作電極上施加-2～-5V的靜態(tài)偏置電壓，所述四氟硼酸四丁銨的濃度為0.01～0.1M；

剝離后，將得到的懸浮液振蕩、離心，取上清液部分用過濾器過濾，再用DMF溶液洗滌、過濾，制得二維NiPS₃納米片。

8.如權(quán)利要求7所述的具有腫瘤靶向的NiPS₃納米藥物的制備方法，其特征在于，所述工作電極與對(duì)電極的距離為1.5cm，所述工作電極上施加-3V的靜態(tài)偏置電壓，所述四氟硼酸四丁銨的濃度為0.05M；

所述過濾器為尼龍膜過濾器，其孔徑為0.45μm。

9.如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的具有腫瘤靶向的NiPS₃納米藥物在制備光動(dòng)力治療藥物上的應(yīng)用。