[發明專利]光敏傳感器及其制備方法、電子設備

有效

• 申請號: 202010431731.7
• 申請日: 2020-05-20
• 公開（公告）號: CN111564506B
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發明（設計）人: 李士佩;張立震;徐勝;何偉;吳慧利;趙雪飛;賀芳;周毅;趙影;黎午升;姚琪
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L23/552;H01L27/144;H01L21/82;H01L27/32
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 蔣冬梅;曲鵬

1.一種光敏傳感器，其特征在于，包括：

基底，所述基底具有傳感區域，所述傳感區域內設置有規則排布的多個傳感單元，所述傳感單元遠離所述基底的一側設置有屏蔽層，所述屏蔽層覆蓋所述傳感區域，所述屏蔽層的材料為透明導電材料，所述屏蔽層連接恒壓信號端；

所述傳感單元包括薄膜晶體管和光敏元件，所述光敏元件包括：與所述薄膜晶體管的源電極或漏電極連接的第一電極、形成在所述第一電極上的光敏層、形成在所述光敏層上的第二電極、以及與所述第二電極連接的第三電極；所述第三電極在所述基底上的正投影覆蓋所述光敏層在所述基底上的正投影，所述第三電極用于向所述光敏元件的第二電極提供工作電壓；

所述光敏層在所述基底上的正投影覆蓋所述第二電極在所述基底上的正投影，所述第二電極的面積小于所述光敏層的面積。

2.根據權利要求1所述的光敏傳感器，其特征在于，所述光敏元件的第二電極和第三電極的材料為透明導電材料。

3.根據權利要求2所述的光敏傳感器，其特征在于，多個光敏元件的第三電極為相互連接的一體結構。

4.根據權利要求2或3所述的光敏傳感器，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：位于所述基底的柵電極、覆蓋所述柵電極的第一絕緣層、形成在所述第一絕緣層上的有源層、以及同層設置的源電極和漏電極；所述源電極和漏電極分別與所述有源層連接；

所述光敏元件的第一電極與所述薄膜晶體管的源電極和漏電極同層設置，且所述光敏元件的第一電極與所述薄膜晶體管的源電極或漏電極為一體結構。

5.根據權利要求4所述的光敏傳感器，其特征在于，所述光敏傳感器還包括：多條平行排布的傳感控制線和多條平行排布的信號讀取線，所述傳感單元設置在由所述傳感控制線和信號讀取線交叉形成的子區域內，所述傳感單元的薄膜晶體管的柵電極與對應的傳感控制線連接，所述薄膜晶體管的源電極或漏電極與對應的信號讀取線連接；

所述多個光敏元件的第三電極在所述基底上的正投影與所述傳感控制線在所述基底上的正投影部分交疊，并與所述信號讀取線在所述基底上的正投影部分交疊。

6.根據權利要求5所述的光敏傳感器，其特征在于，所述傳感控制線與所述薄膜晶體管的柵電極同層設置，所述傳感控制線與對應連接的多個薄膜晶體管的柵電極為一體結構；

所述信號讀取線與所述薄膜晶體管的源電極和漏電極同層設置，所述信號讀取線與對應連接的多個薄膜晶體管的源電極或漏電極為一體結構。

7.根據權利要求2所述的光敏傳感器，其特征在于，所述第三電極的厚度為700埃。

8.根據權利要求1所述的光敏傳感器，其特征在于，所述屏蔽層接地。

9.根據權利要求1所述的光敏傳感器，其特征在于，所述屏蔽層的厚度范圍為大于或等于400埃。

10.一種光敏傳感器的制備方法，其特征在于，包括：

在基底的傳感區域內形成規則排布的多個傳感單元；

在所述傳感單元遠離所述基底的一側形成覆蓋所述傳感區域的屏蔽層，所述屏蔽層的材料為透明導電材料，且所述屏蔽層連接恒壓信號端；

所述在基底的傳感區域內形成多個規則排布的傳感單元，包括：

在所述基底上形成薄膜晶體管；其中，同步形成薄膜晶體管的源電極、漏電極以及光敏元件的第一電極，且所述光敏元件的第一電極與所述薄膜晶體管的源電極或漏電極連接；

在所述光敏元件的第一電極上形成光敏元件的光敏層；

在所述光敏元件的光敏層上形成光敏元件的第二電極；所述光敏層在所述基底上的正投影覆蓋所述第二電極在所述基底上的正投影，所述第二電極的面積小于所述光敏層的面積；

形成與所述第二電極連接的第三電極，所述第三電極向所述光敏元件的第二電極提供工作電壓，所述光敏元件的第三電極在所述基底上的正投影覆蓋所述光敏元件的光敏層在所述基底上的正投影。