[發明專利]半導體器件以及半導體器件的制造方法

在審

• 申請號: 202010431545.3
• 申請日: 2020-05-20
• 公開（公告）號: CN112103288A
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發明（設計）人: 清水二二男;可知剛;吉田芳規
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L27/02;H01L21/82
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 李輝

1.一種半導體器件，包括：

半導體襯底，具有第一主表面和與所述第一主表面相對的第二主表面；

絕緣柵極場效應晶體管，設置在所述半導體襯底的第一區域中；以及

緩沖電路，設置在不同于所述第一區域的第二區域中；

其中所述緩沖電路包括由在所述第二區域中的擴散層形成的電阻器和電容器；

其中在平面視圖中彼此間隔開的多個第一溝槽被形成在所述第一區域中；

其中在平面視圖中彼此間隔開的多個第二溝槽被形成在所述第二區域中；

其中所述多個第一溝槽中的每個第一溝槽具有第一寬度；

其中所述多個第二溝槽中的每個第二溝槽具有第二寬度；并且其中所述第二溝槽中的至少一個第二溝槽的所述第二寬度小于所述多個第一溝槽中的至少一個所述第一溝槽的所述第一寬度。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述第二溝槽在平面視圖中具有0.5微米或大于0.5微米、且小于0.7微米的寬度。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中在所述第一區域中形成的所述多個第一溝槽是比在半導體襯底中形成的溝槽柵極電極更深的溝槽。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述第二區域中形成的所述多個第二溝槽是比在半導體襯底中形成的溝槽柵極電極更深的溝槽。

5.一種制造半導體器件的方法，包括以下步驟：

提供第一主表面以及與所述第一主表面相對的第二主表面，在半導體襯底的所述第一區域中形成絕緣柵極型場效應晶體管，

在不同于所述第一區域的第二區域中形成具有電阻和電容器的緩沖電路，

在所述第一區域和所述第二區域中，其中所述步驟包括朝向半導體襯底形成多個第一深溝槽和多個第二深溝槽，

其中在所述第二區域中形成的所述多個第二深溝槽中，所述第一深溝槽中的至少一個第一深溝槽的第二寬度小于所述第一深溝槽中的至少一個第一深溝槽的寬度。

6.根據權利要求5所述的制造半導體器件的方法，

形成所述元件的步驟包括以下步驟：

形成第一導電類型的第一擴散層，所述第一擴散層電連接至半導體襯底，

形成第二導電類型的第二擴散層，

其中在所述第一主表面側的、比所述第一擴散層淺的位置之上，在所述第一區域中，所述第二導電類型的第二擴散層成為絕緣柵極型場效應晶體管溝道，并且在第二區域中，通過鍵合至所述第一擴散層，成為所述緩沖電路的所述電阻器、以及電容器。

7.根據權利要求5所述的制造半導體器件的方法，

其中所述多個第二深溝槽在平面視圖中被形成為具有0.5微米或大于0.5微米、且小于0.7微米的寬度。