[發明專利]電感元件的制備方法、設備、電感元件及超導電路

有效

• 申請號: 202010431535.X
• 申請日: 2020-05-20
• 公開（公告）號: CN113257552B
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發明（設計）人: 高然;周經緯;鄧純青
• 申請（專利權）人: 阿里巴巴集團控股有限公司
• 主分類號: H01F41/00
• 分類號: H01F41/00;H01L39/02
• 代理公司: 北京太合九思知識產權代理有限公司 11610
• 代理人: 孫明子;劉戈

1.一種電感元件的制備方法，其特征在于，包括：

獲取用于制備電感元件的化合物，所述化合物的超導相干長度與磁場穿透深度滿足預設條件，所述預設條件包括:超導相干長度小于磁場穿透深度；

對所述化合物進行退火操作，以使所述化合物中包括的非超導體相與超導體相出現相分離，生成所述電感元件，其中，所述電感元件的動態電感大于幾何電感，所述非超導體相與所述超導體相中包括至少一個相同的化學元素。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

獲取用戶針對所述預設條件輸入的執行操作；

基于所述執行操作對所述預設條件進行配置。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述非超導體相為納米尺寸。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述幾何電感與所述電感元件的精細結構常數相關。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，獲取用于制備電感元件的化合物，包括：

獲取用于制備電感元件的原材料；

對所述原材料進行薄膜沉積處理，獲得所述化合物。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述化合物進行退火操作，以使所述化合物中包括的非超導體相與超導體相出現相分離，生成所述電感元件，包括：

獲取退火控制參數；

基于所述退火控制參數控制所述化合物進行退火操作，以使所述化合物中包括的非超導體相與超導體相出現相分離，生成所述電感元件。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述退火控制參數包括以下至少之一：退火溫度、退火時間。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，

所述退火溫度小于所述化合物的熔點溫度、且所述退火溫度大于與所述化合物相對應的預設溫度閾值，其中，所述預設溫度閾值為所述化合物中的非所述超導體相與所述超導體相出現相分離的最小溫度。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述非超導體相與所述超導體相之間相分離的程度與所述退火溫度呈正比。

10.根據權利要求7-9中任意一項所述的方法，其特征在于，

所述非超導體相與所述超導體相之間相分離的程度與所述退火時間呈正比。

11.根據權利要求7-9中任意一項所述的方法，其特征在于，

所述非超導體相與所述超導體相之間相分離的程度與所述退火時間呈反比。

12.根據權利要求7-9中任意一項所述的方法，其特征在于，獲取退火控制參數，包括：

獲取用于控制退火操作的多個備選控制參數，在所述多個備選控制參數的控制下，所述電感元件對應有多個不同的動態電感；

在所述多個備選控制參數中，確定所述退火控制參數，以最大化所述電感元件的動態電感。

13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，獲取用于控制退火操作的多個備選控制參數，包括：

確定所述化合物中包括的非超導體相和超導體相；

獲取與所述非超導體相和所述超導體相相對應的退火參數范圍，所述退火參數范圍為所述非超導體相和所述超導體相進行自發相分離所對應的參數范圍；

在所述退火參數范圍內，獲取用于控制退火操作的多個備選控制參數。

14.根據權利要求7-9中任意一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

獲取用戶針對所述退火控制參數輸入的執行操作；

基于所述執行操作對所述退火控制參數進行設置。