[發明專利]電致發光器件及其制備方法和顯示裝置

有效

• 申請號: 202010431035.6
• 申請日: 2020-05-20
• 公開（公告）號: CN113206203B
• 公開（公告）日: 2022-09-30
• 發明（設計）人: 陳穎
• 申請（專利權）人: 廣東聚華印刷顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 陳春渠

本發明公開了一種電致發光器件，包括陰極層、電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層和陽極層，所述陰極層與所述陽極層相對設置，所述發光層設置于所述陰極層與所述陽極層之間，所述電子傳輸層設置于所述陰極層與所述發光層之間，所述空穴傳輸層設置于所述陽極層與所述發光層之間，所述發光層中具有量子點發光材料，所述電子傳輸層與所述發光層的接觸面為第一界面，所述空穴傳輸層與所述發光層的接觸面為第二界面，所述第二界面的粗糙度大于所述第一界面。本發明公開了一種電致發光器件的制備方法。本發明公開了一種顯示裝置。

技術領域

本發明涉及發光器件技術領域，特別是涉及電致發光器件及其制備方法和顯示裝置。

背景技術

隨著有機發光顯示(OLED)技術的不斷發展，顯示器市場呈現應用越來越多樣化的發展趨勢，比如柔性顯示、透明顯示等等。其中，具有更寬廣色域成為了一種普遍的要求。量子點自主發光器件(QLED)，具有發光色譜半峰寬較窄，色度較純的特點。在此前提下，在顯示器裝置中如果采用量子點發光器件實現紅綠藍三原色的發光，就有利于實現更寬廣的色域。

與已經較為成熟的有機發光器件(OLED)不同，量子點發光器件(QLED)至今為止受限于其獨特的電平衡和能級特點，效率和壽命往往難以匹敵OLED器件。而這主要是因為，量子點發光層(QD)的空穴能級HOMO較深，與傳統空穴傳輸材料(HTL)較淺的HOMO能級往往難于匹配。此外，QLED往往采用氧化物比如氧化鋅ZnO作它的電子注入和傳輸層(ETL)，而相比之下傳統HTL的空穴傳輸能力往往偏低。由于這些原因，QD激子復合區中，空穴的注入往往難以匹配電子注入，從而很難實現電平衡，從而也就降低了發光效率，或者在一定工作時間后器件內部微小的變化就導致空穴和電子電流失衡，從而導致工作壽命變短。

針對這個問題，傳統的解決方法往往是通過變換HTL或ETL材料等手段，試圖優化電平衡。但這嚴重依賴于新材料的開發，且難度較高。

發明內容

基于此，有必要針對QLED中空穴和電子難以匹配的問題，提供一種無需依賴材料變換即可實現空穴和電子電流失衡的電致發光器件及其制備方法，以和顯示裝置。

一種電致發光器件，包括陰極層、電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層和陽極層，所述陰極層與所述陽極層相對設置，所述發光層設置于所述陰極層與所述陽極層之間，所述電子傳輸層設置于所述陰極層與所述發光層之間，所述空穴傳輸層設置于所述陽極層與所述發光層之間，所述發光層中具有量子點發光材料，所述電子傳輸層與所述發光層的接觸面為第一界面，所述空穴傳輸層與所述發光層的接觸面為第二界面，所述第二界面的粗糙度大于所述第一界面。

在其中一個實施例中，所述第二界面與所述第一界面的粗糙度的比值為(1.5～20):(0.1～1)。

在其中一個實施例中，所述第二界面的均方根粗糙度為1.5nm～20nm；和/或，所述第一界面的均方根粗糙度為0.1nm～1nm。

在其中一個實施例中，所述空穴傳輸層中包括第一空穴傳輸材料顆粒和第二空穴傳輸材料顆粒，所述第一空穴傳輸材料顆粒與所述第二空穴傳輸材料顆粒的粒徑比為1:5～1:10，所述第一空穴傳輸材料顆粒與所述第二空穴傳輸材料顆粒的質量比為1:1～1:10。

在其中一個實施例中，所述發光層中包括第一發光材料顆粒和第二發光材料顆粒，所述第一發光材料顆粒與所述第二發光材料顆粒的粒徑比為1:5～1:10，第一發光材料顆粒與所述第二發光材料顆粒的質量比為1:1～1:10。

在其中一個實施例中，所述發光層靠近所述第一界面的發光材料的顆粒均勻度高于所述發光層靠近所述第二界面的發光材料的顆粒均勻度。

在其中一個實施例中，所述發光層為空隙率為0～5％的連續相。

在其中一個實施例中，所述空穴傳輸層為空隙率為0～5％的連續相。

在其中一個實施例中，所述電子傳輸層為空隙率為0～5％的連續相。