[發明專利]電致發光器件及其制備方法和顯示裝置

有效

• 申請號: 202010431035.6
• 申請日: 2020-05-20
• 公開（公告）號: CN113206203B
• 公開（公告）日: 2022-09-30
• 發明（設計）人: 陳穎
• 申請（專利權）人: 廣東聚華印刷顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 陳春渠

1.一種電致發光器件，其特征在于，包括陰極層、電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層和陽極層，所述陰極層與所述陽極層相對設置，所述發光層設置于所述陰極層與所述陽極層之間，所述電子傳輸層設置于所述陰極層與所述發光層之間，所述空穴傳輸層設置于所述陽極層與所述發光層之間，所述發光層中具有量子點發光材料，所述電子傳輸層與所述發光層的接觸面為第一界面，所述空穴傳輸層與所述發光層的接觸面為第二界面，所述第二界面的粗糙度大于所述第一界面；其中，所述發光層中包括第一發光材料顆粒和第二發光材料顆粒，所述第一發光材料顆粒和所述第二發光材料顆粒的粒徑不同，通過粒徑梯度差異，使得所述發光層靠近所述第一界面的發光材料的顆粒均勻度高于所述發光層靠近所述第二界面的發光材料的顆粒均勻度。

2.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于，所述第二界面與所述第一界面的粗糙度的比值為(1.5~20) : ( 0.1~1)。

3.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于，所述第二界面的均方根粗糙度為1.5nm~20nm。

4.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于，所述第一界面的均方根粗糙度為0.1nm~1nm。

5.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層中包括第一空穴傳輸材料顆粒和第二空穴傳輸材料顆粒，所述第一空穴傳輸材料顆粒與所述第二空穴傳輸材料顆粒的粒徑比為1:5~1:10，所述第一空穴傳輸材料顆粒與所述第二空穴傳輸材料顆粒的質量比為1:1~1:10。

6.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于，所述第一發光材料顆粒與所述第二發光材料顆粒的粒徑比為1:5~1:10，第一發光材料顆粒與所述第二發光材料顆粒的質量比為1:1~1:10。

7.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于，所述發光層為空隙率為0~5%的連續相；和/或，所述空穴傳輸層為空隙率為0~5%的連續相；和/或，所述電子傳輸層為空隙率為0~5%的連續相。

8.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于，所述第一界面為平面，所述第二界面為刻蝕的圖形化表面。

9.一種電致發光器件的制備方法，包括以下步驟：

在基板上形成陰極層；

在所述陰極層上形成電子傳輸層；

在所述電子傳輸層上形成發光層，所述電子傳輸層與所述發光層的接觸面為第一界面，所述發光層中包括第一發光材料顆粒和第二發光材料顆粒，所述第一發光材料顆粒和所述第二發光材料顆粒的粒徑不同；

在所述發光層上形成空穴傳輸層，所述空穴傳輸層與所述發光層的接觸面為第二界面，使得所述第二界面的粗糙度大于所述第一界面的粗糙度，通過所述發光層中的粒徑梯度差異，使得所述發光層靠近所述第一界面的發光材料的顆粒均勻度高于所述發光層靠近所述第二界面的發光材料的顆粒均勻度；以及

在所述空穴傳輸層上形成陽極層；

或者，

在基板上形成陽極層；

在所述陽極層上形成空穴傳輸層；

在所述空穴傳輸層上形成發光層，所述空穴傳輸層與所述發光層的接觸面為第二界面，所述發光層中包括第一發光材料顆粒和第二發光材料顆粒，所述第一發光材料顆粒和所述第二發光材料顆粒的粒徑不同；

在所述發光層上形成電子傳輸層，所述電子傳輸層與所述發光層的接觸面為第一界面，使得所述第二界面的粗糙度大于所述第一界面的粗糙度，通過所述發光層中的粒徑梯度差異，使得所述發光層靠近所述第一界面的發光材料的顆粒均勻度高于所述發光層靠近所述第二界面的發光材料的顆粒均勻度；以及

在所述電子傳輸層上形成陰極層。