[發明專利]芯片封裝結構及制備方法

在審

• 申請號: 202010430656.2
• 申請日: 2020-05-20
• 公開（公告）號: CN111584449A
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: 劉歡;曹立強;戴風偉
• 申請（專利權）人: 上海先方半導體有限公司;華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L23/482
• 分類號: H01L23/482;H01L23/485;H01L21/56;H01L21/54;H01L21/60
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 張琳琳

1.一種芯片封裝結構，其特征在于，包括：

載片，具有容納空間；

至少一個芯片組，設置在所述容納空間內；其中，每個所述芯片組包括至少兩個堆疊設置且電連接的芯片；

封裝層，填充所述容納空間，以對所述至少一個芯片組進行封裝；其中，每個所述芯片組中至少一個芯片的表面與所述容納空間的端面平齊，且所述芯片的表面上具有第一導電連接點。

2.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述芯片組內的芯片之間為硅通孔互連結構。

3.根據權利要求1或2所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述容納空間為設置在所述載片上的通孔。

4.根據權利要求3所述的芯片封裝結構，其特征在于，每個所述芯片組內第一個芯片的表面與所述容納空間的第一端面平齊，且所述第一個芯片的表面上具有所述第一導電連接點；最后一個芯片的表面與所述容納空間的第二端面平齊，且所述最后一個芯片的表面上具有第二導電連接點。

5.根據權利要求4所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述容納空間的第一端面和/或所述第二端面上設置有電連接結構，所述電連接結構分別與對應的所述第一導電連接點和/或所述第二導電連接點連接。

6.根據權利要求5所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述電連接結構包括：

再布線層，形成在所述第一端面和/或所述第二端面上；

凸點單元，形成在所述再布線層上。

7.一種芯片封裝結構的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供載片；

在所述載片上形成容納空間，并在所述容納空間內設置至少一個芯片組；其中，每個所述芯片組包括至少兩個堆疊設置且電連接的芯片；

利用封裝層填充所述容納空間，以對所述至少一個芯片組進行封裝；其中，每個所述芯片組中至少一個芯片的表面與所述容納空間的端面平齊，且所述表面上具有第一導電連接點。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述載片上形成容納空間，并在所述容納空間內設置至少一個芯片組，包括：

在所述載片的第一表面上開設凹槽；

提供至少兩個芯片；

在所述凹槽內采用硅通孔互連結構將所述至少兩個芯片堆疊設置形成所述芯片組；其中，所述芯片組中第一個芯片的表面與所述凹槽的端面平齊，所述第一個芯片表面具有所述第一導電連接點。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述凹槽的端面上形成第一電連接結構，所述第一電連接結構與所述第一個芯片表面的所述第一導電連接點連接。

10.根據權利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

對所述載片的第二表面進行減薄處理，以露出所述芯片組中最后一個芯片表面的第二導電連接點；

在減薄后的所述載片的第二表面上形成第二電連接結構，所述第二電連接結構與所述第二導電連接點連接。