[發(fā)明專利]芯片封裝結(jié)構(gòu)及制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010430656.2 | 申請日: | 2020-05-20 |
| 公開(公告)號: | CN111584449A | 公開(公告)日: | 2020-08-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉歡;曹立強(qiáng);戴風(fēng)偉 | 申請(專利權(quán))人: | 上海先方半導(dǎo)體有限公司;華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/482 | 分類號: | H01L23/482;H01L23/485;H01L21/56;H01L21/54;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250 | 代理人: | 張琳琳 |
| 地址: | 200131 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 封裝 結(jié)構(gòu) 制備 方法 | ||
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)及制備方法。其中,芯片封裝結(jié)構(gòu)包括:載片,具有容納空間;至少一個(gè)芯片組,設(shè)置在所述容納空間內(nèi);其中,每個(gè)所述芯片組包括至少兩個(gè)堆疊設(shè)置且電連接的芯片;封裝層,填充所述容納空間,以對所述至少一個(gè)芯片組進(jìn)行封裝;其中,每個(gè)所述芯片組中至少一個(gè)芯片的表面與所述容納空間的端面平齊,且所述芯片的表面上具有第一導(dǎo)電連接點(diǎn)。本發(fā)明提供的芯片封裝結(jié)構(gòu),將至少一個(gè)芯片組設(shè)置在載片的容納空間內(nèi),節(jié)約封裝結(jié)構(gòu)的空間尺寸、提高集成度,并利用封裝層填充所述容納空間,將所述至少一個(gè)芯片組固定在所述容納空間內(nèi),避免出現(xiàn)芯片偏移、翹曲較大的問題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)及制備方法。
背景技術(shù)
現(xiàn)有的芯片封裝大體上可以分為堆疊封裝(Stacked package)或者堆疊芯片封裝(Stacked die package),其中,所述的堆疊封裝是將單個(gè)封裝體堆疊,所述的堆疊芯片封裝是單芯片堆疊后再封裝。
堆疊封裝存在多個(gè)封裝體多次塑封的過程,封裝過程復(fù)雜,另外由于多次塑封的塑封層的膨脹系數(shù)的不一致性,導(dǎo)致堆疊封裝容易產(chǎn)生較大的翹曲問題;且多個(gè)封裝體堆積造成尺寸較大,導(dǎo)致系統(tǒng)集成度降低。堆疊芯片封裝其最終成品良率受單個(gè)芯片影響,若芯片在堆疊過程中發(fā)生偏移,最終會導(dǎo)致產(chǎn)品良率變低。
因此,現(xiàn)有的芯片封裝結(jié)構(gòu)集成度較低、尺寸較大,而且還面臨著芯片偏移、翹曲較大等問題,最終導(dǎo)致封裝成品良率較低,這些都制約著芯片封裝的發(fā)展。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種芯片封裝結(jié)構(gòu)及制備方法,以解決現(xiàn)有技術(shù)中,芯片封裝結(jié)構(gòu)集成度低、尺寸大、芯片偏移、翹曲較大的問題。
根據(jù)第一方面,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種芯片封裝結(jié)構(gòu),包括:載片,具有容納空間;至少一個(gè)芯片組,設(shè)置在所述容納空間內(nèi);其中,每個(gè)所述芯片組包括至少兩個(gè)堆疊設(shè)置且電連接的芯片;封裝層,填充所述容納空間,以對所述至少一個(gè)芯片組進(jìn)行封裝;其中,每個(gè)所述芯片組中至少一個(gè)芯片的表面與所述容納空間的端面平齊,且所述芯片的表面上具有第一導(dǎo)電連接點(diǎn)。
本發(fā)明實(shí)施例提供的芯片封裝結(jié)構(gòu),通過將至少一個(gè)芯片組設(shè)置在載片的容納空間內(nèi),其中,每個(gè)所述芯片組中的芯片堆疊設(shè)置,有效節(jié)約所述封裝結(jié)構(gòu)的空間尺寸,提高集成度;利用封裝層填充所述載片的容納空間,將所述至少一個(gè)芯片組進(jìn)行封裝,可以避免傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)在封裝過程中容易出現(xiàn)芯片偏移的問題,相比傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu),封裝層的層數(shù)越少,翹曲越小。
可選地,所述芯片組內(nèi)的芯片之間為硅通孔互連結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明實(shí)施例提供的芯片封裝結(jié)構(gòu),芯片組內(nèi)的芯片之間通過硅通孔互連結(jié)構(gòu)進(jìn)行電連接,代替?zhèn)鹘y(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)中的金屬引線,不僅增強(qiáng)了所述封裝結(jié)構(gòu)的電氣性能,還縮小了所述芯片封裝結(jié)構(gòu)中的芯片尺寸,提高了集成度。
可選地,所述容納空間為設(shè)置在所述載片上的通孔。
本發(fā)明實(shí)施例提供的芯片封裝結(jié)構(gòu),將設(shè)置在載片上的通孔作為至少一個(gè)芯片組的容納空間,便于將所述至少一個(gè)芯片組放入,使得封裝工藝更加簡單。
可選地,每個(gè)所述芯片組內(nèi)第一個(gè)芯片的表面與所述容納空間的第一端面平齊,且所述第一個(gè)芯片的表面上具有所述第一導(dǎo)電連接點(diǎn);最后一個(gè)芯片的表面與所述容納空間的第二端面平齊,且所述最后一個(gè)芯片的表面上具有第二導(dǎo)電連接點(diǎn)。
本發(fā)明實(shí)施例提供的芯片封裝結(jié)構(gòu),每個(gè)芯片組內(nèi)第一芯片的表面以及最后一個(gè)芯片的表面分別與容納空間的第一端面和第二端面平齊,在所述容納空間能夠集成所述至少一個(gè)芯片組的情況下,節(jié)約所述封裝層的材料用量,保證所述封裝結(jié)構(gòu)第一端面和第二端面的平整度,為后續(xù)的工藝結(jié)構(gòu)提供基礎(chǔ)。
可選地,所述容納空間的第一端面和/或所述第二端面上設(shè)置有電連接結(jié)構(gòu),所述電連接結(jié)構(gòu)分別與對應(yīng)的所述第一導(dǎo)電連接點(diǎn)和/或所述第二導(dǎo)電連接點(diǎn)連接。
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