[發(fā)明專利]一種V波段CMOS功率放大器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010429967.7 | 申請日： | 2020-05-20 |
| 公開（公告）號： | CN111628738B | 公開（公告）日： | 2023-07-11 |
| 發(fā)明（設計）人： | 楊自強;行苗;楊濤 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H03F3/20 | 分類號： | H03F3/20 |
| 代理公司： | 電子科技大學專利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 波段 cmos 功率放大器 | ||
1.一種V波段CMOS功率放大器，包括依次連接的輸入匹配電路、第一級放大電路、級間匹配電路、第二級放大電路與輸出匹配電路；其特征在于：
所述第一級放大電路由共源晶體管M1和共柵晶體管M2構成；所述共源晶體管M1的源極接地，柵極與柵極偏置電路連接、并通過隔直電容C2與輸入匹配電路連接，漏極與共柵晶體管M2的源極連接；所述共柵晶體管M2的柵極與柵極偏置電路連接、并通過電容C3接地，漏極與級間匹配電路連接；所述共源晶體管M1和共柵晶體管M2采用堆疊結構，其中，共柵晶體管M2與電容C3滿足：共源晶體管M1的漏極輸出電導為堆疊結構總漏極輸出電導的兩倍；
所述第二級放大電路由共源晶體管M3和共柵晶體管M4構成；所述共源晶體管M3的源極接地，柵極與柵極偏置電路連接、并通過隔直電容C4與級間匹配電路連接，漏極與共柵晶體管M4的源極連接；所述共柵晶體管M4的柵極與柵極偏置電路連接、并通過電容C6接地，漏極與輸出匹配電路連接；所述共源晶體管M3和共柵晶體管M4采用堆疊結構，其中，共柵晶體管M4與電容C6滿足：共源晶體管M3的漏極輸出電導為堆疊結構總漏極輸出電導的兩倍。
2.按權利要求1所述V波段CMOS功率放大器，其特征在于，所述輸入匹配電路由并聯(lián)短路線L1和串聯(lián)傳輸線L2構成；
所述級間匹配電路由串聯(lián)傳輸線L3、并聯(lián)支截線L4以及旁路電容C5構成，同時，漏偏置Vd1從該級間匹配電路的射頻短路點饋入；
所述輸出匹配電路由串聯(lián)傳輸線L5、并聯(lián)支截線L6以及旁路電容C8構成，同時，漏偏置Vd2從該輸出匹配電路的射頻短路點饋入。
3.按權利要求1所述V波段CMOS功率放大器，其特征在于，所述柵極偏置電路均由串聯(lián)電阻實現(xiàn)。
4.按權利要求2所述V波段CMOS功率放大器，其特征在于，所述輸入匹配電路、級間匹配電路及輸出匹配電路全部采用分布參數(shù)匹配形式，實現(xiàn)放大電路(堆疊晶體管)的良好輸入、級間及輸出匹配。
5.按權利要求4所述V波段CMOS功率放大器，其特征在于，所述分布參數(shù)匹配電路的電路形式采用接地共面波導。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于電子科技大學，未經(jīng)電子科技大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010429967.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
