[發(fā)明專利]刻蝕氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)和蝕刻機(jī)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010428120.7
• 申請(qǐng)日: 2020-05-20
• 公開（公告）號(hào): CN111599719A
• 公開（公告）日: 2020-08-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李子然
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 刁文魁

本發(fā)明實(shí)施例提供一種蝕刻機(jī)和刻蝕氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)，蝕刻機(jī)包括第一電極板，第一電極板包括第一區(qū)域、圍繞第一區(qū)域設(shè)置的第二區(qū)域，第一電極板設(shè)置有氣孔、氣道，氣道包括主干、分支，主干設(shè)置有流量控制閥，分支與氣孔連接，其中，第一區(qū)域的第一主干的流量大于第二區(qū)域的第二主干的流量；將第一電極板分為若干區(qū)域，通過(guò)不同的流量控制閥控制不同區(qū)域的對(duì)應(yīng)主干的流量，使各區(qū)域流量相同。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及面板蝕刻技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種刻蝕氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)和一種蝕刻機(jī)。

背景技術(shù)

現(xiàn)有干法蝕刻機(jī)包括上部的刻蝕氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)、以及下部的抽氣機(jī)構(gòu)，上部的刻蝕氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)通過(guò)均一出氣的氣孔噴出氣體，僅僅中心和邊緣可控，容易在刻蝕基板上形成刻蝕不均的圖案，所述圖案邊緣處的蝕刻速率高于中心處的蝕刻速率，因此，現(xiàn)有蝕刻機(jī)存在各區(qū)域蝕刻速率不相同的技術(shù)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種刻蝕氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)和一種蝕刻機(jī)，可緩解現(xiàn)有蝕刻機(jī)存在各區(qū)域蝕刻速率不相同的技術(shù)問(wèn)題。

本發(fā)明提供一種刻蝕氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)，包括：

第一電極板，所述第一電極板由中心向邊緣依次至少包括第一區(qū)域、第二區(qū)域，所述第二區(qū)域圍繞所述第一區(qū)域設(shè)置；以及

設(shè)置于所述第一電極板下表面的多個(gè)氣孔；以及

設(shè)置在所述第一電極板上方的氣道，所述氣道包括主干、以及與所述主干連通的分支，所述主干設(shè)置有流量控制閥，所述分支與所述氣孔連接；

其中，所述第一區(qū)域的所述氣孔與第一主干連通，所述第二區(qū)域的所述氣孔與所述第二主干連通，所述第一主干設(shè)置有第一流量控制閥，所述第二主干設(shè)置有第二流量控制閥，所述第一主干的流量大于所述第二主干的流量。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的刻蝕氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)中，所述第一區(qū)域的所述氣孔的設(shè)置密度大于所述第二區(qū)域的所述氣孔的設(shè)置密度。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的刻蝕氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)中，在任一區(qū)域內(nèi)，所述氣孔均勻設(shè)置，呈陣列排布。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的刻蝕氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)中，所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域的形狀為矩形或橢圓形。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的刻蝕氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)中，所述第一電極板還包括第三區(qū)域，所述第三區(qū)域圍繞所述第二區(qū)域設(shè)置，所述第三區(qū)域的所述氣孔與第三主干連通，所述第三主干設(shè)置有第三流量控制閥。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的刻蝕氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)中，所述第三流量控制閥的打開程度小于所述第二流量控制閥的打開程度，所述第三主干的流量小于所述第二主干的流量。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的刻蝕氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)中，在所述第一電極板上，所述氣孔均勻設(shè)置在各區(qū)域，相鄰所述氣孔間的間距相等。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的刻蝕氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)中，所述第一電極板的四個(gè)角處的氣孔設(shè)置的稀疏，所述第一電極板的四個(gè)角處的流量小于所述第一主干的流量。

本發(fā)明提供一種蝕刻機(jī)，包括腔體、以及設(shè)置在所述腔體上部的刻蝕氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)、以及設(shè)置在所述腔體下部的抽氣機(jī)構(gòu)，所述刻蝕氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)包括：

第一電極板，所述第一電極板由中心向邊緣依次至少包括第一區(qū)域、第二區(qū)域，所述第二區(qū)域圍繞所述第一區(qū)域設(shè)置；以及

設(shè)置于所述第一電極板下表面的多個(gè)氣孔；以及

設(shè)置在所述第一電極板上方的氣道，所述氣道包括主干、以及與所述主干連通的分支，所述主干設(shè)置有流量控制閥，所述分支與所述氣孔連接；

其中，所述第一區(qū)域的所述氣孔與第一主干連通，所述第二區(qū)域的所述氣孔與所述第二主干連通，所述第一主干設(shè)置有第一流量控制閥，所述第二主干設(shè)置有第二流量控制閥，所述第一主干的流量大于所述第二主干的流量。