[發明專利]刻蝕氣體導入機構和蝕刻機

在審

• 申請號: 202010428120.7
• 申請日: 2020-05-20
• 公開（公告）號: CN111599719A
• 公開（公告）日: 2020-08-28
• 發明（設計）人: 李子然
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 刁文魁

1.一種刻蝕氣體導入機構，其特征在于，包括：

第一電極板，所述第一電極板由中心向邊緣依次至少包括第一區域、第二區域，所述第二區域圍繞所述第一區域設置；以及

設置于所述第一電極板下表面的多個氣孔；以及

設置在所述第一電極板上方的氣道，所述氣道包括主干、以及與所述主干連通的分支，所述主干設置有流量控制閥，所述分支與所述氣孔連接；

其中，所述第一區域的所述氣孔與第一主干連通，所述第二區域的所述氣孔與所述第二主干連通，所述第一主干設置有第一流量控制閥，所述第二主干設置有第二流量控制閥，所述第一主干的介質流量大于所述第二主干的介質流量。

2.如權利要求1所述的刻蝕氣體導入機構，其特征在于，所述第一區域的所述氣孔的設置密度大于所述第二區域的所述氣孔的設置密度。

3.如權利要求2所述的刻蝕氣體導入機構，其特征在于，在任一區域內，所述氣孔均勻設置，呈陣列排布。

4.如權利要求1所述的刻蝕氣體導入機構，其特征在于，所述第一區域、所述第二區域的形狀為矩形或橢圓形。

5.如權利要求1所述的刻蝕氣體導入機構，其特征在于，所述第一電極板還包括第三區域，所述第三區域圍繞所述第二區域設置，所述第三區域的所述氣孔與第三主干連通，所述第三主干設置有第三流量控制閥。

6.如權利要求5所述的刻蝕氣體導入機構，其特征在于，所述第三流量控制閥的打開程度小于所述第二流量控制閥的打開程度，所述第三主干的流量小于所述第二主干的流量。

7.如權利要求6所述的刻蝕氣體導入機構，其特征在于，在所述第一電極板上，所述氣孔均勻設置在各區域，相鄰所述氣孔間的間距相等。

8.如權利要求1所述的刻蝕氣體導入機構，其特征在于，所述第一電極板的四個角處的氣孔設置的稀疏，所述第一電極板的四個角處的流量小于所述第一主干的流量。

9.一種蝕刻機，其特征在于，包括腔體、以及設置在所述腔體上部的刻蝕氣體導入機構、以及設置在所述腔體下部的抽氣機構，所述刻蝕氣體導入機構包括：

第一電極板，所述第一電極板由中心向邊緣依次至少包括第一區域、第二區域，所述第二區域圍繞所述第一區域設置；以及

設置于所述第一電極板下表面的多個氣孔；以及

設置在所述第一電極板上方的氣道，所述氣道包括主干、以及與所述主干連通的分支，所述主干設置有流量控制閥，所述分支與所述氣孔連接；

其中，所述第一區域的所述氣孔與第一主干連通，所述第二區域的所述氣孔與所述第二主干連通，所述第一主干設置有第一流量控制閥，所述第二主干設置有第二流量控制閥，所述第一主干的流量大于所述第二主干的流量。

10.如權利要求9所述的蝕刻機，其特征在于，所述第一電極板還包括第三區域，所述第三區域圍繞所述第二區域設置，所述第三區域的所述氣孔與第三主干連通，所述第三主干設置有第三流量控制閥，所述第三流量控制閥的打開程度小于所述第二流量控制閥的打開程度，所述第三主干的流量小于所述第二主干的流量。