[發明專利]一種半導體器件及其制造方法和電子設備

在審

• 申請號: 202010427339.5
• 申請日: 2020-05-19
• 公開（公告）號: CN113690220A
• 公開（公告）日: 2021-11-23
• 發明（設計）人: 郭炳容;楊濤;李俊峰;王文武
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768;H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京知迪知識產權代理有限公司 11628
• 代理人: 王勝利

本發明公開一種半導體器件及其制造方法和電子設備，涉及半導體技術領域，以解決在位線結構外側沉積三層或更多層側墻材料來形成側墻，工藝復雜的問題。所述半導體器件包括：襯底；形成在襯底上的位線結構；以及，形成在位線結構外側的側墻；側墻由第一側墻和第二側墻構成，第二側墻形成在第一側墻的外側。所述半導體器件的制作方法用于制作半導體器件。本發明提供的半導體器件用于電子設備。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種半導體器件及其制造方法和電子設備。

背景技術

動態隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，縮寫為DRAM)通過利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。DRAM的結構簡單，每一個比特的數據都只需一個電容跟一個晶體管處理。同時DRAM密度高，單位體積的容量較高因此成本較低。

隨著半導體存儲元件變得高度集成，在制作DRAM過程中，需要在位線結構外側形成側墻，傳統的工藝步驟是沉積三層或更多層側墻材料，經過處理形成最終的側墻，在此過程中工藝復雜、浪費材料。

發明內容

本發明的目的在于提供一種半導體器件及其制造方法和電子設備，用于避免在位線結構外側沉積三層或更多層側墻材料來形成側墻，工藝復雜的問題。

為了實現上述目的，本發明提供一種半導體器件。該半導體器件包括：

襯底；

形成在襯底上的位線結構；

以及，形成在位線結構外側的側墻；

側墻由第一側墻和第二側墻構成，第一側墻形成在位線結構的外側，第二側墻形成在第一側墻的外側。

與現有技術相比，本發明提供的半導體器件中，通過在位線結構的外側形成側墻。上述側墻由第一側墻和第二側墻構成，第一側墻形成在位線結構的外側，并在第一側墻的外側上形成第二側墻，此時可以確保在位線結構外側形成側墻的同時，簡化工藝步驟，節省材料和制作時間，提高工作效率。

本發明還提供一種半導體器件的制作方法。該半導體器件的制作方法包括：

提供一襯底；

在襯底上形成位線結構；

在位線結構的外側形成兩層子側墻結構的側墻。

與現有技術相比，本發明提供的半導體器件的制作方法的有益效果與上述技術方案所述的半導體器件的有益效果相同，此處不做贅述。

本發明還提供一種電子設備，包括上述技術方案的半導體器件。

與現有技術相比，本發明提供的電子設備的有益效果與上述技術方案所述的半導體器件的有益效果相同，此處不做贅述。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本發明的進一步理解，構成本發明的一部分，本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明，并不構成對本發明的不當限定。在附圖中：

圖1示出了一種現有技術中半導體存儲器件結構示意圖；

圖2示出了本發明實施例提供的半導體存儲器件的結構示意圖；

圖3至圖7示出了本發明實施例中制造半導體存儲器件中的各個階段中實施例示意圖；

圖8示出了本發明實施例提供的半導體存儲器件剖面圖。

附圖標記：