[發明專利]一種半導體器件及其制造方法和電子設備

在審

• 申請號: 202010427339.5
• 申請日: 2020-05-19
• 公開（公告）號: CN113690220A
• 公開（公告）日: 2021-11-23
• 發明（設計）人: 郭炳容;楊濤;李俊峰;王文武
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768;H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京知迪知識產權代理有限公司 11628
• 代理人: 王勝利

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

襯底；

形成在所述襯底上的位線結構；

以及，形成在所述位線結構外側的側墻；

所述側墻由第一側墻和第二側墻構成，所述第一側墻形成在所述位線結構的外側，所述第二側墻形成在所述第一側墻的外側。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第二側墻含有低介電常數材料。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第二側墻由同一材料一次成形。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第二側墻為低介電常數的SiBN側墻或SiCN側墻；所述第二側墻的厚度為5nm～500nm。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一側墻為Si₃N₄側墻；所述第一側墻的厚度為0nm～50nm。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：形成在所述襯底上的存儲接觸部。

7.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上形成位線結構；

在所述位線結構的外側形成兩層子側墻結構的側墻。

8.根據權利要求7所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述位線結構包括絕緣層、位線和位線接觸部。

9.根據權利要求8所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，在所述位線結構的外側形成兩層子側墻結構的側墻包括：

在所述位線結構的絕緣層、位線和位線接觸部的外側形成第一側墻；

在所述第一側墻的外側形成第二側墻。

10.根據權利要求9所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，在所述第一側墻的外側形成第二側墻包括：

在所述襯底和第一側墻上沉積間隔材料層，所述間隔材料層填充位于所述位線結構的接觸部外側的低于襯底表面的部位；

刻蝕所述間隔材料層，去除所述襯底表面的材料，形成在第一側墻外側的第二側墻。

11.根據權利要求10所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述去除的方式為濕法刻蝕或干法刻蝕。

12.根據權利要求11所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述濕法刻蝕的腐蝕溶液包括磷酸水溶液；或，

HF、H₂O₂和H₂SO₄三者形成的混合水溶液。

13.根據權利要求7所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，在所述位線結構的外側形成兩層子側墻結構的側墻之后還包括：

在所述襯底上形成存儲接觸部。

14.一種電子設備，其特征在于，包括如權利要求1～6中任一項所述的半導體器件。

15.根據權利要求14所述的電子設備，其特征在于，所述電子設備包括通訊設備或終端設備。