[發明專利]一種引線框架的蝕刻方法

在審

• 申請號: 202010426998.7
• 申請日: 2020-05-19
• 公開（公告）號: CN111415871A
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發明（設計）人: 馬文龍;康小明;康亮
• 申請（專利權）人: 天水華洋電子科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 成都弘毅天承知識產權代理有限公司 51230
• 代理人: 謝建

1.一種引線框架的蝕刻方法，其特征在于包括如下步驟:

步驟一：選材，選取銅帶基板，進行表面除塵；

步驟二：壓膜，通過壓膜機將干膜粘附在銅帶表面，再在干膜的外面放上需要制作的產品圖形，蓋上蓋板后真空固定圖形在干膜上；

步驟三：曝光，使干膜發生光聚合反應，將要制作的引線框架圖形轉移到干膜上；

步驟四：顯影，將沒有發生光聚合反應的干膜去掉；

步驟五：蝕刻，將蝕刻液噴淋到銅帶表面進行腐蝕，有干膜的地方受到干膜保護不被腐蝕使引線框架成型。

2.根據權利要求1所述的一種引線框架的蝕刻方法，其特征在于：所述步驟五中的蝕刻液為酸性氯化銅蝕刻液。

3.根據權利要求1所述的一種引線框架的蝕刻方法，其特征在于：所述步驟二中的壓膜是通過先將銅帶基板浸濕再用壓膜機將干膜壓到銅帶基板上的干膜濕壓的方法壓膜。

4.根據權利要求1所述的一種引線框架的蝕刻方法，其特征在于：所述步驟一中選取銅帶的厚度為0.05-0.25mm。

5.根據權利要求1所述的一種引線框架的蝕刻方法，其特征在于：所述步驟二中的干膜是由聚酯薄膜、光致抗蝕劑膜、聚乙烯保護膜三部分組成的感光材料。