[發明專利]一種引線框架的蝕刻方法

在審

• 申請號: 202010426998.7
• 申請日: 2020-05-19
• 公開（公告）號: CN111415871A
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發明（設計）人: 馬文龍;康小明;康亮
• 申請（專利權）人: 天水華洋電子科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 成都弘毅天承知識產權代理有限公司 51230
• 代理人: 謝建

本發明公開了一種引線框架的蝕刻方法，屬于半導體集成電路領域。包括如下步驟:選取銅帶基板；通過壓膜機將干膜粘附在銅帶表面，在干膜的外面放上需要制作的產品圖形，蓋上蓋板后真空固定圖形在干膜上；使干膜發生光聚合反應，將要制作的引線框架圖形轉移到干膜上；將沒有發生光聚合反應的干膜去掉；將蝕刻液噴淋到銅帶表面進行腐蝕，有干膜的地方受到干膜保護不被腐蝕使引線框架成型。本發明可以保證引線框架高精度的要求，可實現蝕刻液再生，有效解決環保問題，便于推廣使用。

技術領域

本發明屬于半導體集成電路領域，具體為一種引線框架的蝕刻方法。

背景技術

引線框架作為一種半導體集成電路的芯片載體，是一種借助于鍵合材料(金絲、鋁絲、銅絲)實現芯片內部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關鍵結構件，它起到了和外部導線連接的橋梁作用，絕大部分的半導體集成塊中都需要使用引線框架，是電子信息產業中重要的基礎材料，在電子產品中有廣泛的應用，引線框架采用沖壓或者蝕刻成型，目前引線框架傳統制造多采用三氯化鐵蝕刻液腐蝕成型。在制造引線框架的過程中會產生大量三氯化鐵廢液，廢液的處理復雜而且成本很高。隨著電子行業飛速發展，在目前引線框架精度要求高且國家對環保的高度重視的情況下，尋求高效環保的新型引線框架蝕刻液已成為整個引線框架制造業共同面臨的問題。

發明內容

本發明的目的在于：提供一種可以保證引線框架高精度的要求，可實現蝕刻液再生，有效解決環保問題的引線框架的蝕刻方法。

本發明采用的技術方案如下：

一種引線框架的蝕刻方法，其特征在于包括如下步驟:

步驟一：選材，選取銅帶基板，進行表面除塵；

步驟二：壓膜，通過壓膜機將干膜粘附在銅帶表面，再在干膜的外面放上需要制作的產品圖形，蓋上蓋板后真空固定圖形在干膜上；

步驟三：曝光，使干膜發生光聚合反應，將要制作的引線框架圖形轉移到干膜上；

步驟四：顯影，將沒有發生光聚合反應的干膜去掉；

步驟五：蝕刻，將蝕刻液噴淋到銅帶表面進行腐蝕，有干膜的地方受到干膜保護不被腐蝕使引線框架成型。

所述步驟五中的蝕刻液為酸性氯化銅蝕刻液。

所述步驟二中的壓膜是通過先將銅帶基板浸濕再用壓膜機將干膜壓到銅帶基板上的干膜濕壓的方法壓膜。

所述步驟二中的壓膜是通過壓膜機將干膜在加熱加壓下粘附到銅帶表面上。

所述步驟一中選取銅帶的厚度為0.05-0.25mm。

所述步驟二中的干膜是由聚酯薄膜、光致抗蝕劑膜、聚乙烯保護膜三部分組成的感光材料。

綜上所述，由于采用了上述技術方案，本發明的有益效果是：

1、本發明通過曝光顯影工序、將產品的圖形轉移到金屬銅板上，將要蝕刻區域的保護，不要的區域除去保護膜裸露出金屬部分，再用氯化銅蝕刻液液腐蝕，形成凹凸半刻或者鏤空成型的引線框架，氯化銅蝕刻液具有側蝕小、易控制、可再生等特點，所以采用氯化銅蝕刻液既能滿足高精度、細線位引線框架生產的要求，又能兼顧環保問題。在今后蝕刻引線框架領域，氯化銅蝕刻液必將成為趨勢。氯化銅蝕刻液蝕刻引線框架可滿足公差為+/-0.025mm產品批量生產。

2、本發明中在壓膜時侵水的銅面，可加速與干膜反應，將銅面的氣體趕著使干膜軟化粘性加強，使銅面和干膜更好的貼合，實現了高精密、低線距產品的正常生產。和普通的壓膜方法相比，由干膜粘附不牢靠造成的不良品比例有原來的6％降低到2％，效果明顯。

綜上，本發明可以保證引線框架高精度的要求，可實現蝕刻液再生，有效解決環保問題。

附圖說明