[發明專利]一種MEMS微加工傳感器陣列微結構體的方法

在審

• 申請號: 202010426653.1
• 申請日: 2020-05-19
• 公開（公告）號: CN111578879A
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: 谷俊濤;曲家興;吳瓊;方舟;許言;杜宇芳
• 申請（專利權）人: 黑龍江省網絡空間研究中心;黑龍江省國防科學技術研究院（黑龍江省網絡安全和信息化技術中心）
• 主分類號: G01B21/02
• 分類號: G01B21/02;C23C14/16
• 代理公司: 哈爾濱龍科專利代理有限公司 23206
• 代理人: 高媛

1.一種MEMS微加工傳感器陣列微結構體，其特征在于：所述MEMS微加工傳感器陣列微結構體的制作包括以下幾個步驟：

步驟一：選擇合適的板狀材料作為基底材料；

步驟二：對基底材料進行鍍膜處理；

步驟三：選擇合適的薄膜材料，并在薄膜材料上繪制待加工微結構的圖形；

步驟四：將步驟三中的薄膜材料覆蓋在基底材料的最上方，并固定薄膜材料；

步驟五：對基底材料進行開槽處理；

步驟六：在步驟四中的薄膜材料上制作陣列微結構體；

步驟七：將步驟六中制作好的陣列微結構體與待測物體固定。

2.根據權利要求1所述的一種MEMS微加工傳感器陣列微結構體的方法，其特征在于：所述陣列微結構體包括基塊結構、薄膜材料、基底材料和底板，且基塊結構、薄膜材料、基底材料和底板從上到下依次設置，并且基塊結構、薄膜材料、基底材料和底板接觸位置均固定連接。

3.根據權利要求1所述的一種MEMS微加工傳感器陣列微結構體的方法，其特征在于：所述基底材料的上表面與薄膜材料通過PVC覆膜膠水相連接，且基底材料的下表面粘貼連接有底板，并且底板的下表面為凹凸狀結構的橡膠材料。

4.根據權利要求1所述的一種MEMS微加工傳感器陣列微結構體的方法，其特征在于：所述基底材料的材質為硅片，且基底材料上表面的薄膜材料為透明的PVC材料，并且薄膜材料表面繪制的圖形可以為矩形、正方形或圓形中的一種，而且該矩形、正方形或圓形均呈陣列方式分布。

5.根據權利要求4所述的一種MEMS微加工傳感器陣列微結構體的方法，其特征在于：所述矩形、正方形或圓形的陣列周期為100nm～10um，結構總體尺寸大于5um。

6.根據權利要求1所述的一種MEMS微加工傳感器陣列微結構體的方法，其特征在于：所述基底材料處理的方式包括鍍膜處理和開槽處理，其中：

鍍膜處理為：采用熱蒸鍍和磁控濺射的方式在基底材料上鍍鋁膜；

開槽處理為：使用激光開槽技術在基底材料和薄膜材料上的表面均開設對應的矩形、正方形或圓形中的任一種形狀的凹槽。

7.根據權利要求1所述的一種MEMS微加工傳感器陣列微結構體的方法，其特征在于：所述步驟五中的陣列微結構體通過激光加工、高能粒子束加工、電火花加工和機械加工的方式制作基塊結構，并保證基塊結構與基板上的凹槽結構一一對應設置。

8.根據權利要求1所述的一種MEMS微加工傳感器陣列微結構體的方法，其特征在于：所述步驟七中陣列微結構體與待測物體固定的步驟包括以下幾個步驟：

步驟1：使用夾具或者其他固定結構將待測物體固定在臺面上；

步驟2：在陣列微結構體中的底板下表面均勻涂抹PVC膠水，并在待測物體的表面均勻涂抹膠水；

步驟3：將底板與待測物體的對應位置對齊并按壓，使用熱風機構對膠水進行烘干；

步驟4：將固定好陣列微結構體的待測物體與MEMS微加工傳感器配合，用于位移的檢測。