[發明專利]一種陣列基板及其制作方法

在審

• 申請號: 202010425170.X
• 申請日: 2020-05-19
• 公開（公告）號: CN111627927A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 張偉彬
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 呂姝娟

本申請提供一種陣列基板及其制備方法，所述陣列基板包括：層疊設置的襯底、緩沖層、柵極金屬層、柵極絕緣層、有源層、層間介質層，源漏極層，其中，有源層圖案化形成溝道區，源漏極層包括層疊設置的第一源漏極層和第二源漏極層，第一源漏極層在與有源層接觸的區域形成摻雜區，第一源漏極層的材料與有源層的材料相同，均為半導體材料，但離子摻雜的濃度不同。本申請通過先對半導體材料進行離子摻雜成膜，然后對半導體層進行退火處理，形成有源層的溝道區和第一源漏極層，這樣就節約了一次離子摻雜步驟和半導體退火步驟，同時第一源漏極層直接形成有源層的摻雜區，增大了源漏極層與有源層的接觸面積，從而減小了源漏極層的電阻。

技術領域

本申請涉及顯示領域，具體涉及一種陣列基板及其制作方法。

背景技術

在傳統AMOLED器件制備過程中，常常采用互補金屬氧化物半導體(CMOS)器件來組成面板驅動電路的基本單元，一般在有源層中摻雜了B型離子或P型離子，形成有源層的溝道區。通常先制備非晶硅薄膜，對非晶硅進行退火化處理形成多晶硅層，在多晶硅層上形成柵極絕緣層和柵極，再在多晶硅層內注入氣體，進行高溫活化產生活性離子與多晶硅層進行反應。這樣產生了兩次高溫活化反應，增加了柵極斷裂的風險，同時增加離子輸入制程也增加了成本。

因此，現有技術存在AMOLED器件，存在制備工藝增多，光照成本增強的問題。

發明內容

本申請實施例提供一種顯示面板及其制作方法，可以有效緩解AMOLED器件，存在制備工藝增多，光照成本增強的問題。

為解決以上問題，本申請提供的技術方案如下：

本申請提一種陣列基板，其特征在于，包括；

襯底；

緩沖層，形成在所述襯底之上；

柵極金屬層，形成在所述緩沖層遠離襯底的一側；

柵極絕緣層，形成在所述柵極金屬層遠離所述緩沖層的一側；

有源層，形成在所述柵極絕緣層遠離所述柵極金屬層的一側，圖案化形成溝道區；

層間介質層，形成在所述層間介質層遠離所述柵極絕緣層的一側；

源漏極層，形成在所述有源層遠離所述柵極絕緣層的一側，圖案化形成源極和漏極；

其中，所述源漏極層包括第一源漏極層和第二源漏極層，所述第一源漏極層與所述有源層接觸的區域形成摻雜區，所述第二源漏極層形成在所述第一源漏極層遠離所述襯底的一側，所述第一源漏極層的材料與所述有源層的材料相同，但離子摻雜的濃度不同。

在一些實施例中，所述層間介質層形成有通孔，所述通孔貫穿所述層間介質層，在所述柵極絕緣層上形成平面區域，所述第一源漏極層平鋪所述通孔，且位于所述平面區域的第一源漏極層與所述溝道區搭接形成摻雜區。

在一些實施例中，所述通孔的形狀包括倒梯形。

在一些實施例中，所述有源層的厚度與所述第一源漏極層的厚度相同。

在一些實施例中，所述第二源漏極層與所述第一源漏極層的接觸面積大于所述第二源漏極層在所述襯底上的正投影面積。

本申請同時提供一種陣列基板的制作方法，用于制備如權利要求1至5任一項所述的陣列基板，其特征在于，包括；

提供基板；

在所述基板上依次形成襯底、緩沖層、柵極、柵極絕緣層；

在柵極絕緣層上沉積半導體層，并處理得到溝道區；

在第一半導體層上沉積層間介質層，對層間介質層進行刻蝕形成通孔；