[發明專利]一種陣列基板及其制作方法

在審

• 申請號: 202010425170.X
• 申請日: 2020-05-19
• 公開（公告）號: CN111627927A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 張偉彬
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 呂姝娟

1.一種陣列基板，其特征在于，包括；

襯底；

緩沖層，形成在所述襯底之上；

柵極金屬層，形成在所述緩沖層遠離襯底的一側；

柵極絕緣層，形成在所述柵極金屬層遠離所述緩沖層的一側；

有源層，形成在所述柵極絕緣層遠離所述柵極金屬層的一側，圖案化形成溝道區；

層間介質層，形成在所述層間介質層遠離所述柵極絕緣層的一側；

源漏極層，形成在所述有源層遠離所述柵極絕緣層的一側，圖案化形成源極和漏極；

其中，所述源漏極層包括第一源漏極層和第二源漏極層，所述第一源漏極層與所述有源層接觸的區域形成摻雜區，所述第二源漏極層形成在所述第一源漏極層遠離所述襯底的一側，所述第一源漏極層的材料與所述有源層的材料相同，但離子摻雜的濃度不同。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述層間介質層形成有通孔，所述通孔貫穿所述層間介質層，在所述柵極絕緣層上形成平面區域，所述第一源漏極層平鋪所述通孔，且位于所述平面區域的第一源漏極層與所述溝道區搭接形成摻雜區。

3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述通孔的形狀包括倒梯形。

4.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層的厚度與所述第一源漏極層的厚度相同。

5.如權利要求1至4項任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述第二源漏極層與所述第一源漏極層的接觸面積大于所述第二源漏極層在所述襯底上的正投影面積。

6.一種陣列基板的制作方法，用于制備如權利要求1至5任一項所述的陣列基板，其特征在于，包括；

提供基板；

在所述基板上依次形成襯底、緩沖層、柵極、柵極絕緣層；

在柵極絕緣層上沉積半導體層，并處理得到溝道區；

在第一半導體層上沉積層間介質層，對層間介質層進行刻蝕形成通孔；

在通孔內沉積第一源漏極層以及第二源漏極層，并處理得到摻雜區以及源極和漏極。

7.如權利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述在柵極絕緣層上沉積半導體層，并處理得到溝道區的步驟包括：

提供摻雜有第一摻雜濃度摻雜材料的第一摻雜非晶硅；

使用所述第一摻雜非晶硅，形成第一非晶硅層作為所述半導體層；

對所述第一非晶硅層進行激光退火處理，得到多晶硅層；

對所述多晶硅層進行圖案化處理，得到所述溝道區。

8.如權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述提供摻雜有第一摻雜濃度摻雜材料的摻雜非晶硅的步驟包括：

向反應腔室通入甲烷、氫氣和氫化磷，在熱能或光能的條件下解離，得到所述摻雜非晶硅。

9.如權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述提供摻雜有第一摻雜濃度摻雜材料的摻雜非晶硅的步驟包括：

向反應腔室通入甲烷、氫氣和三氟化硼在熱能或光能的條件下解離，得到所述摻雜非晶硅。

10.如權利要求6至9任一項所述的制作方法，其特征在于，所述在通孔內沉積第一源漏極層以及第二源漏極層，并處理得到摻雜區以及源極和漏極的步驟包括：

提供摻雜有第二摻雜濃度摻雜材料的第二摻雜非晶硅；

使用所述第二摻雜非晶硅，形成第二非晶硅層作為所述第一源漏極層；

在所述第二非晶硅層上形成所述第二源漏極層；

對所述第二摻雜非晶硅以及所述第二源漏極層進行圖案化處理得到所述摻雜區以及源極和漏極。