[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010425050.X
• 申請日: 2020-05-19
• 公開（公告）號: CN112420597A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姜秉佑;權(quán)世峻;金活杓;樸鎮(zhèn)澤;任易碩;洪暎玉
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L27/11521;H01L27/11556;H01L27/11568;H01L27/11582
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 郭星

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

形成包括具有不同深度的溝槽的堆疊結(jié)構(gòu)；

在所述堆疊結(jié)構(gòu)上形成絕緣層以填充所述溝槽；

通過對所述絕緣層進行圖案化來形成與所述溝槽的位置相對應(yīng)地定位的多個突起；以及

通過對包括所述多個突起的圖案化的所述絕緣層進行平坦化來分別形成填充所述溝槽的絕緣圖案。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個突起中的至少一個突起的寬度大于其余突起的寬度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個突起中與單元區(qū)域分開的突起的寬度大于與所述單元區(qū)域相鄰的突起的寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中當所述絕緣層被平坦化時，具有較高靜摩擦力的突起的寬度大于具有較低靜摩擦力的突起的寬度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中圖案化的所述絕緣層包括與所述多個突起相鄰定位的虛設(shè)突起。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述堆疊結(jié)構(gòu)包括單元區(qū)域和接觸區(qū)域，其中所述多個突起和所述虛設(shè)突起位于所述接觸區(qū)域中，并且其中所述虛設(shè)突起與所述多個突起相比更遠離所述單元區(qū)域而被定位。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個突起包括具有不同深度的凹槽。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述凹槽對應(yīng)于所述溝槽的位置而被定位。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中與較深溝槽相對應(yīng)的凹槽的深度大于與較淺溝槽相對應(yīng)的凹槽的深度。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述溝槽中的每個溝槽具有階梯狀內(nèi)壁。

11.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

形成包括單元區(qū)域和接觸區(qū)域的堆疊結(jié)構(gòu)；

在所述堆疊結(jié)構(gòu)的所述接觸區(qū)域中形成與所述單元區(qū)域相鄰的第一溝槽和與所述單元區(qū)域分開的第二溝槽；

在所述堆疊結(jié)構(gòu)上形成絕緣層以填充所述第一溝槽和所述第二溝槽；

對所述絕緣層進行圖案化以形成與所述第一溝槽相對應(yīng)的第一突起和與所述第二溝槽相對應(yīng)的第二突起，其中所述第二突起比所述第一突起更寬；以及

對包括所述第一突起和所述第二突起的圖案化的所述絕緣層進行平坦化。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第二溝槽的深度大于所述第一溝槽的深度。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中圖案化的所述絕緣層包括與所述第二突起相鄰的虛設(shè)突起。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述虛設(shè)突起與所述第一突起和所述第二突起相比更遠離所述單元區(qū)域而被定位。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一突起包括第一凹槽，其中所述第二突起包括第二凹槽，并且其中所述第一凹槽的深度不同于所述第二凹槽的深度。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述第一凹槽對應(yīng)于所述第一溝槽的位置而被定位，并且所述第二凹槽對應(yīng)于所述第二溝槽的位置而被定位。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述第二溝槽的深度大于所述第一溝槽的深度，并且其中所述第二凹槽的深度大于所述第一凹槽的深度。

18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一溝槽和所述第二溝槽中的每個溝槽具有階梯狀內(nèi)壁。