[發明專利]基于互連線單元的電路拓撲結構及互連線單元級聯的去嵌方法有效
| 申請號： | 202010424462.1 | 申請日： | 2020-05-19 |
| 公開（公告）號： | CN111679171B | 公開（公告）日： | 2022-09-06 |
| 發明（設計）人： | 魏震楠;黃風義;唐旭升;張有明 | 申請（專利權）人： | 東南大學;南京展芯通訊科技有限公司;上海表象信息科技有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/28 | 分類號： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 秦秋星 |
| 地址： | 210096 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 互連 單元 電路 拓撲 結構 級聯 方法 | ||
1.一種基于互連線單元級聯的去嵌方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1：分別獲取器件測試結構、開路測試結構、直通測試結構、短路測試結構的測試S參數；
步驟2：使用所述開路測試結構的測試S參數，得到焊盤的S參數，將焊盤的S參數從直通測試結構的測試S參數中去除；
步驟3：將所述直通測試結構中的互連線劃分成幾個相鄰的直通互連線單元，對每個直通互連線單元建立電路單元的拓撲結構，再建立直通互連線單元的級聯模型，計算得到輸入互連線單元、輸出互連線單元的S參數；
步驟4：將所述短路測試結構的測試S參數去除焊盤、輸入互連線單元和輸出互連線單元的S參數，得到短路測試結構中接地互連線和接地通孔的S參數；
步驟5：將所述器件測試結構的測試S參數去除焊盤、輸入互連線單元、輸出互連線單元、接地互連線和接地通孔的S參數，得到待測器件的S參數。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3中所述電路單元拓撲結構由串聯阻抗Zs、并聯導納Ysub組成的π型拓撲結構組成，而不依賴于具體的電阻、電感、電容。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，各所述直通互連線單元的ABCD矩陣參數表達式為
其中，j代表相鄰的不同直通互連線單元，為不同直通互連線單元的串聯阻抗，為不同直通互連線單元的并聯導納，為不同直通互連線單元的ABCD矩陣。
4.根據權利要求1所述的方法，所述直通互連線單元的級聯模型中每個直通互連線的ABCD矩陣是由劃分成幾段相鄰直通互連線單元的ABCD矩陣相乘得到的。
5.根據權利要求3所述的方法，所述直通互連線單元的ABCD矩陣參數
其中，j代表相鄰的不同直通互連線單元，為不同直通互連線單元的串聯阻抗，為不同直通互連線單元的并聯導納，為不同直通互連線單元的ABCD矩陣；
其中，不同直通互連線單元的串聯阻抗和并聯導納相互之間滿足和直通互連線單元的長度成正比的關系：其中，Lm、Ln代表兩段直通互連線單元的長度，代表兩段直通互連線單元的串聯阻抗，代表兩段直通互連線單元的并聯導納。
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