[發明專利]發光二極管及其制造方法

在審

• 申請號: 202010423790.X
• 申請日: 2020-05-19
• 公開（公告）號: CN111969086A
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發明（設計）人: 楊智詠;王心盈;郭得山
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種發光二極管及其制造方法，其中該發光二極管包含：一半導體疊層，依序疊有一第一半導體層、一發光層、以及一第二半導體層；一透明導電層，形成于半導體疊層上，電連接第二半導體層；一絕緣層，形成于透明導電層上，包含一第一開口；以及一電極層，形成于絕緣層上，包含一第一焊墊區以及一第一延伸區；其中，第一延伸區通過第一開口接觸透明導電層，且第一延伸區完全包圍第一開口。

技術領域

本發明涉及發光二極管，尤其是涉及具有提升亮度及/或增進電流分布的發光二極管，以及其相關的制造方法。

背景技術

發光二極管(Light-Emitting Diode，LED)具有耗能低、低發熱、操作壽命長、防震、體積小、以及反應速度快等良好特性，因此適用于各種照明及顯示用途。

傳統的LED，采用化合物半導體材料，利用P型半導體層中的空穴跟N型半導體層中的電子，兩者復合(recombination)后所產生的光子(photon)來產生光線。其中一種現有LED制作流程上使用五道光掩模，分別用來定義半導體疊層的高臺(mesa)、電流阻擋層(current blocking layer)、透明導電層、電極、以及絕緣保護層。光掩模使用的越少，可以降低成本，提高良率。

發明內容

本發明實施例提供一種發光二極管，包含一半導體疊層，依序疊有一第一半導體層、一發光層、以及一第二半導體層；一透明導電層，形成于半導體疊層上，電連接第二半導體層；一絕緣層，形成于透明導電層上，包含一第一開口；以及一電極層，形成于絕緣層上，包含一第一焊墊區以及一第一延伸區；其中，第一延伸區通過第一開口接觸透明導電層，且第一延伸區完全包圍第一開口。

本發明實施例提供另一種發光二極管，包含一半導體疊層，依序疊有一第一半導體層、一發光層、以及一第二半導體層；一穿阱，位于半導體疊層中，包含一側壁以及一底部，其中穿阱曝露第二半導體層、發光層以及第一半導體層的一部分；一透明導電層，形成于半導體疊層上，電連接至第二半導體層；一絕緣層，形成于透明導電層上，包含一第一開口；以及一電極層，形成于絕緣層上，包含一第一焊墊區以及一第一延伸區；其中，第一延伸區通過第一開口接觸透明導電層，且第一延伸區與穿阱重疊，第一延伸區不通過穿阱與第一半導體層電性接觸。

本發明實施例提供另一種發光二極管，包含一半導體疊層，依序疊有一第一半導體層、一發光層、以及一第二半導體層；一透明導電層，形成于半導體疊層上，電連接第二半導體層；一絕緣層，形成于透明導電層上，包含一第一開口以及多個相互分離的阻擋島位于第一開口中；以及一電極層，形成于絕緣層上，包含一第一焊墊區以及一第一延伸區；其中，第一延伸區至少部分與阻擋島重疊，且第一延伸區通過第一開口接觸透明導電層。

附圖說明

圖1A至圖1D為本申請案第一實施例制作發光二極管100的光掩模圖案的示意圖；

圖2為本申請案第一實施例的發光二極管100的一上視圖；

圖3為發光二極管100的一剖視圖；

圖4A至圖4D為本發明第二實施例制作發光二極管200的光掩模圖案的示意圖；

圖5為本申請案第二實施例的發光二極管200的一上視圖；

圖6為發光二極管200的一剖視圖；

圖7為本申請案第三實施例發光二極管200a的一上視圖；

圖8為發光二極管200a的一剖視圖；

圖9A至圖9D為本申請案第四實施例制作發光二極管300的光掩模圖案的示意圖；

圖10為本申請案第四實施例的發光二極管300的一上視圖；

圖11為發光二極管300的一剖視圖；